Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 350 results.

    101.
    Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system K. A. Lozovoy, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko, V. G. Satdarov

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Lozovoy, Kirill A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    102.
    Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN В. А. Новиков, В. В. Преображенский, И. В. Ивонин

    by Новиков, Вадим Александрович | Преображенский, Валерий Владимирович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    103.
    GE/SI quantum dots formation by the method of molecular beam epitaxy K. A. Lozovoy, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko и др.

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Kalin, Eugeniy A | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    104.
    Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, М. А. Путято, В. В. Преображенский [и др.]

    by Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Торопов, Сергей Евгеньевич | Чалдышев, Владимир Викторович | Куницын, Александр Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    105.
    Радиационное дефектообразование в эпитаксиальных пленках КРТ М. Ф. Филатов, Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев

    by Филатов, Михаил Федорович | Григорьев, Денис Валерьевич | Леонтьев, Дмитрий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    106.
    High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si(001) epitaxial system V. V. Dirko, K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii

    by Dirko, Vladimir V | Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: NanotechnologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    107.
    Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal–insulator–semiconductor techniques A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Marin, Denis V.

    Source: Journal of electronic materialsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    108.
    Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy V. V. Rumyantsev, A. A. Razova, M. A. Fadeev [et al.]

    by Rumyantsev, Vladimir V | Razova, Anna A | Fadeev, Mikhail A | Utochkin, Vladimir V | Mikhailov, Nikolay N | Dvoretsky, Sergei A | Gavrilenko, Vladimir I | Morozov, Sergey V.

    Source: Optical engineeringMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    109.
    Microstructure and properties of a silicon coating deposited on a titanium nickelide substrate using molecular-beam epitaxy equipment K. V. Krukovskii, O. A. Kashin, A. V. Luchin [et al.]

    by Krukovskii, K. V | Kashin, Oleg A | Luchin, A. V | Kokhanenko, Andrey P | Dirko, Vladimir V | Lozovoy, Kirill A | Kashina, O. N | Bobrov, D. I.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    110.
    On the kinetics of the early stage of growth of III-V nanowires Yu. Yu. Hervieu

    by Hervieu, Yurij Yurevich.

    Source: Journal of crystal growthMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    111.
    Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si H. Asaoka, T. Yamazaki, K Yamaguchi [et.al.]

    by Yamazaki, Tatsuya | Yamaguchi, Kenji | Shamoto, Shin-ichi | Filimonov, Sergey N | Suemitsu, Maki | Asaoka, Hidehito | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    112.
    Capacitance–voltage characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Thin solid filmsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    113.
    Делокализация фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs с тунельно-тонкими барьерами AlAs В. А. Володин, М. Д. Ефремов, В. А. Сачков

    by Володин, Владимир Алексеевич | Ефремов, Михаил Дмитриевич | Сачков, Виктор Анатольевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    114.
    Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, Е. А. Колосовский и др.

    by Дмитриев, Дмитрий Владимирович физик | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Колосовский, Евгений Анатольевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    115.
    Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия И. А. Бобровникова, И. В. Ивонин, В. А. Новиков [и др.]

    by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Новиков, Вадим Александрович | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    116.
    Влияние условий роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Т. А. Шилова, В. А. Новиков, Б. Р. Семягин, Д. Н. Щеглов

    by Шилова, Т. А | Новиков, Владимир Александрович | Семягин, Борис Рэмович | Щеглов, Д. Н.

    Source: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    117.
    Наноразмерные кластеры мышьяка в GaAs В. В. Чалдышев

    by Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    118.
    Глубокие уровни тетраэдрических кластеров из атомов мышьяка и галлия в арсенида галлия В. А. Чалдышев, С. Н. Гриняев

    by Чалдышев, Виктор Александрович, 1929-2008 | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    119.
    Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Gorn, Dmitriy Igorevich | Kashirskii, Danila E | Lozovoy, Kirill A | Dirko, Vladimir V | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu.

    Source: Pulsed lasers and laser applications AMPL-2021 : the 15th International conference, September 12-17, 2021, Tomsk, Russia : abstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    120.
    Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии А. П. Коханенко, В. В. Дирко, К. А. Лозовой

    by Коханенко, Андрей Павлович | Дирко, Владимир Владиславович | Лозовой, Кирилл Александрович.

    Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Dependence of elastic stresses on the thickness of the deposited material for germanium growth on silicon.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    121.
    Изменение электрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ после воздействия высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления П. А. Ермаченков

    by Ермаченков, Павел Андреевич.

    Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    122.
    Investigation of surface potential in the V-defect region of MBE CdxHg1−xTe film V. A. Novikov, D. V. Grigoryev

    by Novikov, Vadim A | Grigoryev, Denis V.

    Source: SemiconductorsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    123.
    Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский

    by Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    124.
    Model of step propagation and step bunching at the sidewalls of nanowires S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu

    by Filimonov, Sergey N | Hervieu, Yurij Yurevich.

    Source: Journal of crystal growthMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    125.
    Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films A. V. Voytsekhovskiy, I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka [et al.]

    by Izhnin, Igor I | Syvorotka, I. I | Korotaev, Alexander G | Mynbaev, Karim D | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Remesnik, V. G | Yakushev, Maxim V | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: 6th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2018), September 16-22, 2018, Tomsk, Russia : abstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    126.
    Effective diffusion length and elementary surface processes in the concurrent growth of nanowires and 2D layers Yu. Yu. Hervieu

    by Hervieu, Yurij Yurevich.

    Source: Journal of crystal growthMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    127.
    Спектральные характеристики фотопроводимости структур на основе КРТ Н. В. Нестерович

    by Нестерович, Н. В.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    128.
    Formation of SnO and SnO2 phases during the annealing of SnO(x) films obtained by molecular beam epitaxy A. I. Nikiforov, V. F. Timofeev, V. I. Mashanov [et al.]

    by Timofeev, Vyacheslav F | Mashanov, Vladimir I | Azarov, Ivan A | Loshkarev, Ivan D | Volodin, Vladimir A | Gulyaev, Dmitry V | Chetyrin, Igor A | Korolkov, Ilya V | Nikiforov, Alexander I.

    Source: Applied surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    129.
    Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. V. Voytsekhovskiy [et al.]

    by Syvorotka, I. I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Izhnin, Igor I.

    Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    130.
    Исследование фотоэлектрических свойств пленок КРТ, выращенных МЛЭ С. В. Шумкин, А. П. Коханенко

    by Шумкин, С. В | Коханенко, Андрей Павлович.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    131.
    Admittance of barrier structures based on mercury cadmium telluride A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    132.
    Исследование процессов роста слоев InGaAs при низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии Е. К. Круогла, С. В. Субач, М. А. Путяго

    by Круогла, Е. К | Субач, Сергей Владимирович | Путято, Михаил Альбертович.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    133.
    Анализ гомоэпитаксиального роста тонких пленок кремния на сверхструктурах 1х2 и 2х1 методом дифракции быстрых электронов О. И. Кукенов, В. В. Дирко, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой

    by Кукенов, Олжас Игоревич | Дирко, Владимир Владиславович | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    134.
    Структурные и оптические свойства гибридного материала на основе оксидов олова и многослойных периодических структур с псевдоморфными слоями GeSiSn В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. И. Никифоров [и др.]

    by Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Машанов, Владимир Иванович | Никифоров, Александр Иванович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Скворцов, Илья Владимирович | Гуляев, Дмитрий Владимирович | Корольков, Илья Викторович | Коляда, Дмитрий Владимирович | Фирсов, Дмитрий Дмитриевич | Комков, Олег Сергеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    135.
    Анизотропия проводимости в δ-слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)A и (111)B В. А. Рогозин, И. С. Васильевский, А. В. Деркач [и др.]

    by Рогозин, В. А | Васильевский, Иван Сергеевич | Деркач, А. В | Кульбачинский, Владимир Анатольевич | Лунин, Роман Анатольевич | Галиев, Г. Б | Мокеров, Владимир Григорьевич, 1940-2008 | Гурин, Петр Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    136.
    Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике О. П. Пчеляков, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров [и др.]

    by Пчеляков, Олег Петрович | Двуреченский, Анатолий Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Коханенко, Андрей Павлович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    137.
    Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn В. А. Тимофеев, А. П. Коханенко, А. И. Никифоров и др.

    by Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Никифоров, Александр Иванович | Машанов, Владимир Иванович | Туктамышев, Артур Раисович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Коханенко, Андрей Павлович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    138.
    Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface V. V. Dirko, K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko [et al.]

    by Dirko, Vladimir V | Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Kukenov, Olzhas I | Korotaev, Alexander G | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: NanomaterialsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    139.
    Formation of Ge/Si nanoscale structures at different growth conditions by molecular beam epitaxy V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, V. A. Zinovyev [et.al.]

    by Timofeev, V. A | Zinovyev, V. A | Teys, Sergey A | Pchelyakov, Oleg P | Nikiforov, Alexander I.

    Source: Journal of nanoelectronics and optoelectronicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    140.
    Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    141.
    Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич.

    Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Investigation of characteristics of mis structures based on MBE n-HgCdTe NBνN barrier structures by admittance spectroscopy.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    142.
    Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Марин, Денис Викторович.

    Source: Письма в журнал технической физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    143.
    Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    144.
    Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    145.
    Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    146.
    Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг А. Г. Коротаев, И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский [и др.]

    by Коротаев, Александр Григорьевич | Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Świątek, Zbigniew.

    Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    147.
    Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский

    by Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Calculation of а critical thickness of Stranski-Krastanow transition in GeSi/Sn/Si system.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    148.
    Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, А. В. Войцеховский и др.

    by Кульчицкий, Николай Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук.

    Source: Вакуумная техника, материалы и технология : материалы X международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля)Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Alternative technologies to create structures with quantum dots of Ge/Si.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    149.
    Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Кульчицкий, Николай Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: НаноинженерияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    150.
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :