Normal view
MARC view
Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, М. А. Путято, В. В. Преображенский [и др.]
Material type:
ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | полупроводниковые приборы | арсенид галлия | кремний | эпитаксиальные слои | молекулярно-лучевая эпитаксия | легированные полупроводники | легированный кремний | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ
In:
Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 206-207
No physical items for this record
There are no comments on this title.