ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА [Электронный ресурс] : веб-сайт. URL: http://www.isp.nsc.ru/index.php?Itemid=501

Канд. физ.-мат. наук. Зав. лабораторией физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур Ин-та физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск). Область науч. интересов: молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV; GaAs, полученный методом МЛЭ при низкой температуре роста; исследование процессов на поверхности роста при МЛЭ гетероструктур на основе соединений AIIIBV методом дифракции быстрых электронов на отражение; МЛЭ соединений AIIIBV на подложках кремния.