Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы
  • Your search returned 271 results.

    1.
    Исследование микронеоднородностей в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук В. Д. Окунев ; науч. рук. В. А. Гаман ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева

    by Окунев, В. Д | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1972Online access: Click here to access online Availability: Items available for loan: (1).
    2.
    3.
    Исследования оптических и фотоэлектрических свойств арсенида галлия, облученного электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05 Будницкий Давыд Львович ; науч. рук. Кривов М. А. ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Будницкий, Давыд Львович | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1986Availability: Items available for loan: (1).
    4.
    Роль нестехиометрии в установлении содержания остаточного углерода в арсениде галлия В. В. Резвицкий, Г. Н. Семенова, Л. Г. Шепель, А. Хрубан

    by Резвицкий, В. В | Семенова, Г. Н | Шепель, Л. Г | Хрубан, А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующем нелегированном GaAs К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук

    by Глинчук, Константин Давыдович | Литовченко, Н. М | Прохорович, А. В | Стрильчук, О. Н.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Частотная зависимость поверхностной проводимости полуизолирующего арсенида галлия Ю. В. Лисюк, А. А. Скрыльников

    by Лисюк, Ю. В | Скрыльников, Александр Аркадьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Монокристаллы арсенида галлия, выращенные методом VGF: особенности структуры и свойств А. В. Марков

    by Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Исследование методом электронной Оже-спектроскопии физико-химических взаимодействий в структурах металл-арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Пирогов Виктор Алексеевич ; науч. рук. А. Н. Диденко ; Том. политехн. ин-т им. С. М. Кирова, НИИ ядерной физики

    by Пирогов, Виктор Алексеевич | Диденко, Андрей Николаевич, 1932- [ths] | Томский политехнический институт им. С. М. Кирова НИИ ядерной физики.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1986Availability: Items available for loan: (1).
    9.
    Исследование структуры собственного окисла на поверхности GaAs FTIR-методом Е. Л. Еремина, В. П. Бабак, С. В. Смирнов

    by Еремина, Е. Л | Бабак, В. П | Смирнов, Серафим Всеволодович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Электрофизические и детекторные свойства арсенида галлия, выращенного из раствора-расплава Ю. П. Козлова, Е. П. Веретенкин, В. Н. Гаврин и др.

    by Козлова, Юлия Павловна | Веретенкин, Е. П | Гаврин, В. Н.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Characterization of photon counting pixel detectors based on semi-insulating GaAs sensor material E. Hamann, A. Cecilia, A. Zwerger [et.al.]

    by Cecilia, A | Zwerger, A | Fauler, A | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Shelkov, G | Graafsma, H | Baumbach, T | Fiederle, M | Hamann, E | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Получение монокристаллов высокочистого полуизолирующего арсенида галлия методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава А. В. Марков

    by Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    13.
    Структурно-фазовые превращения поверхности GaAs(100) в процессе обработки в парах селена Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Ю. В. Смирнов и др.

    by Безрядин, Н. Н | Домашевская, Эвелина Павловна | Смирнов, Ю. В.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    14.
    Перспективные разработки ОАО "НИИПП" на базе арсенидогаллиевой технологии В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. А. Пономарев, Э. Ф. Яук

    by Божков, Владимир Григорьевич | Монастырев, Е. А | Пономарев, А. А | Яук, Э. Ф.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    15.
    Шумовые и радиационные свойства датчиков магнитного поля на основе арсенида галлия Г. Ф. Карлова, А. В. Градобоев

    by Карлова, Гелия Федоровна | Градобоев, А. В.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    The peculiarities of halogens adsorption on A3B5(001) surface A. V. Bakulin, S. E. Kulkova, O. E. Tereshchenko [et.al.]

    by Bakulin, Alexander V | Tereshchenko, Oleg E | Shaposhnikov, Anton A | Smolin, Igor Yu | Kulkova, Svetlana E.

    Source: IOP Conference Series: Materials Science and EngineeringMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Синтез тонких оксидных слоев на поверхности GaAs термооксидированием в присутствии композиций Sb2O3+V2O5 В. Ф. Кострюков, И. Я. Миттова

    by Кострюков, Виктор Федорович | Миттова, Ирина Яковлевна.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    18.
    Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures V. Kalygina, V. Gaman, I. Prudaev, O. Tolbanov

    by Kalygina, V. M | Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Gaman, V. I.

    Source: International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015), 3-6, November 2015, Kyoto University, Kyoto, JapanMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    19.
    Investigation of the radiation hardness of GaAs sensors in an electron beam K. Afanaciev, M. Bergholz, D. Mokeev [et.al.]

    by Bergholz, M | Mokeev, D | Novikov, Vladimir A | Bernitt, P | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Afanaciev, K | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    20.
    Исследование детекторных структур на основе полуизолирующего арсенида галлия Г. И. Айзенштат, О. Б. Корецкая, Л. С. Окаевич [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Корецкая, Ольга Борисовна | Окаевич, Людмила Стефановна | Потапов, А. И | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    21.
    Dependence of X-ray sensitivity of GaAs:Cr sensors on material of contacts A. D. Lozinskaya, V. A. Novikov, O. P. Tolbanov [et.al.]

    by Lozinskaya, A. D | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Yaskevich, T. M | Zarubin, A. N | Novikov, Vladimir A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    22.
    Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs И. А. Прудаев, С. С. Хлудков, А. К. Гутаковский и др.

    by Хлудков, Станислав Степанович | Гутаковский, Антон Константинович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Неорганические материалыMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    23.
    Арсенид галлия - как материал для микромеханики В. И. Юрченко

    by Юрченко, Василий Иванович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    24.
    Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях сверхчистого GaAs методом фотоотражения О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев, Л. М. Федоров

    by Комков, О. С | Пихтин, Александр Николаевич | Жиляев, Юрий Васильевич | Федоров, Леонид Михайлович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    25.
    Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Бобровникова Ирина Анатольевна ; науч. рук. Лаврентьева Л. Г. ; Том. гос. ун-т

    by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1989Availability: Items available for loan: (1).
    26.
    Investigation of GaAs:Cr Timepix assemblies under high flux irradiation E. Hamann, T. Koenig, M. Zuber [et.al.]

    by Hamann, E | Zuber, M | Cecilia, A | Tyazhev, Anton V | Tolbanov, Oleg P | Procz, S | Fauler, A | Fiederle, M | Baumbach, T | Koenig, T.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    27.
    Measurement of the energy resolution and calibration of hybrid pixel detectors with GaAs:Cr sensor and Timepix readout chip A. Butler, P. Butler, S. Bell [et.al.]

    by Butler, A | Bell, Steven J | Chelkov, G. A | Dedovich, D. V | Demichev, M. A | Elkin, V. G | Gostkin, M. I | Kotov, S. A | Kozhevnikov, D. A | Kruchonak, U. G | Butler, P | Nozdrin, A. A | Porokhovoy, S. Yu | Potrap, I. N | Smolyanskiy, P. I | Zakhvatkin, M. M | Zhemchugov, A. S | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Physics of particles and nuclei lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    28.
    Transient processes in the GaAs-based microwave-pin-diodes G. I. Ayzenshtat, A. Y. Yushchenko, V. G. Bozhkov

    by Ayzenshtat, G. I | Yushchenko, A. Yu | Bozhkov, V. G.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    29.
    О практическом применении арсенида галлия, легированного переходными металлами С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    30.
    Performance of a Medipix3RX spectroscopic pixel detector with a high resistivity gallium arsenide sensor E. Hamann, T. Koenig, M. Zuber [et.al.]

    by Hamann, E | Zuber, M | Cecilia, A | Tyazhev, Anton V | Tolbanov, Oleg P | Procz, S | Fauler, A | Baumbach, T | Fiederle, M | Koenig, T | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: IEEE transactions on medical imagingMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    31.
    GaAs маска для нанолитографии В. Я. Принц, В. А. Селезнев, А. В. Принц

    by Принц, Виктор Яковлевич | Селезнев, Владимир Александрович | Принц, Александр Викторович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    32.
    Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers D. Budnitsky, V. Novikov, A. Lozinskaya [et.al.]

    by Budnitsky, D | Lozinskaya, A. D | Kolesnikova, I | Zarubin, A. N | Shemeryankina, A | Mikhailov, T | Skakunov, M. S | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Novikov, Vladimir A.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    33.
    Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре А. В. Бойцов, Н. А. Берт, В. В. Чалдышев и др.

    by Бойцов, А. В | Берт, Николай Алексеевич | Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    34.
    Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения Л. К. Шаймерденова

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна.

    Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    35.
    Газочуствительные свойства диэлектрических слоев на GaAs полученных термическим окислением в присутствии соединений - активаторов И. Я. Миттова, В. Ф. Кострюков, Е. К. Салиева

    by Миттова, Ирина Яковлевна | Кострюков, Виктор Федорович | Салиева, Е. К.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    36.
    Исследование распределения удельного сопротивления по пластине GaAs:Cr И. Д. Щербаков

    by Щербаков, Иван Дмитриевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Investigation of resistivity uniformity of GaAs:Cr wafers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    37.
    Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures V. M. Kalygina, V. V. Vishnikina, Y. S. Petrova [et.al.]

    by Kalygina, V. M | Petrova, Yu. S | Prudaev, Ilya A | Yaskevich, T. M | Vishnikina, V. V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: SemiconductorsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    38.
    Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа

    by "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", конференция 8 2002 Томск | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Том. гос. ун-т 2002Availability: Items available for loan: (1).
    39.
    Частотная зависимость выходного сигнала в детекторах из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, Т. В. Медведева, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Лелеков, Михаил Александрович | Медведева, Т. В | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    40.
    Ab-initio study of new Ga-rich GaAs(001) surface (4 × 4) reconstruction A. V. Bakulin, S. E. Kulkova, S. V. Eremeev, O. E. Tereshchenko

    by Kulkova, Svetlana E | Eremeev, Sergey V | Tereshchenko, Oleg E | Bakulin, Alexander V | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра теоретической физики | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: Surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    41.
    GaAs лавинный s-диод с управляющим электродом И. А. Прудаев, М. С. Скакунов, О. П. Толбанов

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    42.
    Электрические свойства GaAs, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, В. А. Новиков и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Новиков, Вадим Александрович | Будницкий, Давыд Львович | Лопатецкая, Ксения Сергеевна | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    43.
    Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content M. A. Pankov, B. A. Aronzon, V.V. Rylkov [et.al.]

    by Aronzon, B. A | Rylkov, V. V | Davydov, A. B | Tugushev, V. V | Caprara, S | Likhachev, I. A | Pashaev, E. M | Chuev, M. A | Lahderanta, E | Vedeneev, A. S | Bugaev, A. S | Pankov, M. A | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: The European physical journal BMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    44.
    Механизм срыва обратной вольт-амперной характеристики р-???-п-структур на основе GaAs(Fe) В. И. Гаман, В. М. Диамант, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Диамант, В. М | Фукс, Г. М.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print Availability: No items available :
    45.
    Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев, А. В. Тяжев

    by Гермогенов, Валерий Петрович | Пономарев, Иван Викторович | Тяжев, Антон Владимирович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    46.
    Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков и др.

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Лелеков, Михаил Александрович | Новиков, Владимир Александрович | Окаевич, Людмила Стефановна | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    47.
    Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики р-???-п-структур на основе GaAs(Fe) А. А. Вилисов, В. И. Гаман, В. М. Диамант, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Вилисов, Анатолий Александрович | Диамант, В. М | Фукс, Г. М.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print Availability: No items available :
    48.
    Evalution of the EL2 concentraion in GaAs crystals grown from melts with variable composition T. J. Bowles, V. K. Eremin, V. N. Gavrin [et.al.]

    by Bowles, T. J | Eremin, V. K | Gavrin, V. N.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    49.
    Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом Л. К. Шаймерденова, А. В. Тяжев

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Тяжев, Антон Владимирович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    50.
    Пиксельный детектор на арсениде галлия для маммографии Г. И. Айзенштат, Д. Г. Прокопьев

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Прокопьев, Дмитрий Геннадьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :