Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы
  • Your search returned 253 results.

    1.
    Выращивание твердых растворов GaPxAs1-x методом молекулярно-лучевой эпитаксии: механизм формирования состава в подрешетке V группы М. А. Путято, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин и др.

    by Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition D. V. Lyapunov, A. A. Pishchagin, D. V. Grigoryev [et.al.]

    by Lyapunov, D. V | Grigoryev, Denis V | Korotaev, Alexander G | Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Iznin, I. I | Savytskyy, Hrygory V | Bonchyk, A. Yu | Dvoretsky, Sergei A | Pishchagin, Anton A | Mikhailov, Nikolay N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Влияние элементов составав подрешеике III группы на встраивание мышьяка и фосфора при МЛЭ твердых растворов (AIII)PxAs1-x М. А. Путято, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин

    by Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Comparison of background donor concentration in HgCdTe grown with different technologies A. Y. Bonchyk, I. A. Mohylyak, H. V. Savytskyy [et.al.]

    by Bonchyk, A. Yu | Savytskyy, Hrygory V | Fitsych, Olena I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Izhnin, Igor I | Mohylyak, I. A.

    Source: XV International conference on physics and technology of thin films and nanosystems, Ivanо-Frankivsk, May, 11-16, 2015 : book of abstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. А. Пищагин, В. Ю. Серохвостов

    by Пищагин, Антон Александрович | Серохвостов, Вячеслав Юрьевич.

    Source: Материалы 53-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2015, 11-17 апреля 2015 г. Квантовая физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Делокализация фонон-плазмонных мод в сверхрешетках GaAs/AlAs с тунельно-тонкими барьерами AlAs В. А. Володин, М. Д. Ефремов, В. А. Сачков

    by Володин, Владимир Алексеевич | Ефремов, Михаил Дмитриевич | Сачков, Виктор Анатольевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Formation of Ge/Si nanoscale structures at different growth conditions by molecular beam epitaxy V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, V. A. Zinovyev [et.al.]

    by Timofeev, V. A | Zinovyev, V. A | Teys, S. A | Pchelyakov, Oleg P | Nikiforov, Alexander I.

    Source: Journal of nanoelectronics and optoelectronicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si H. Asaoka, T. Yamazaki, K Yamaguchi [et.al.]

    by Yamazaki, Tatsuya | Yamaguchi, Kenji | Shamoto, Shin-ichi | Filimonov, Sergey N | Suemitsu, Maki | Asaoka, Hidehito | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Elastically stressed pseudomorphic SiSn island array formation with a pedestal on the Si(1 0 0) substrate using Sn as a growth catalyst A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, V. I. Mashanov [et al.]

    by Timofeev, V. A | Mashanov, Vladimir I | Gavrilova, Tatiana A | Gulyaev, Dmitry V | Nikiforov, Alexander I.

    Source: Journal of crystal growthMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках Ю. Б. Болховитянов, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков и др.

    by Болховитянов, Юрий Борисович | Дерябин, Александр Сергеевич | Пчеляков, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин, А. И. Ижнин

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Hysteresis phenomena in mis structures based on graded-gap MBE HgCdTe with a two-layer plasma-chemical insulator SiO2/Si3N4 A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Elongated quantum dots of Ge on Si growth kinetics modeling with respect to the additional energy of edges K. A. Lozovoy, A. A. Pishchagin, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V | Pishchagin, Anton A.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    15.
    Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре А. В. Бойцов, Н. А. Берт, В. В. Чалдышев и др.

    by Бойцов, А. В | Берт, Николай Алексеевич | Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge В. Ю. Серохвостов, А. А. Пищагин

    by Серохвостов, Вячеслав Юрьевич | Пищагин, Антон Александрович.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Влияние высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КРТ П. А. Ермаченков

    by Ермаченков, Павел Андреевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Influence of a high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric pressure air on the electrophysical properties of CdHgTe epitaxial films.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Studying the formation of Si (100) stepped surface in molecular-beam epitaxy M. Yu. Esin, Yu. Yu. Hervieu, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov

    by Hervieu, Yurij Yurevich | Timofeev, V. A | Nikiforov, Alexander I | Esin, M. Yu.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    19.
    Capacitive properties of metal-insulator-semiconductor systems based on an HgCdTe nBn structure grown by molecular beam epitaxy A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Journal of communications technology and electronicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    20.
    The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy E. A. Kalin, V. G. Satdarov, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko

    by Kalin, Eugeniy A | Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    21.
    К расчету параметров самоорганизующихся наноостровков германия на кремнии К. А. Лозовой

    by Лозовой, Кирилл Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов X Международной конференция студентов и молодых ученых, Россия, Томск, 23–26 апреля 2013 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    22.
    МЛЭ гетероструктур на основе материалов A3B5 для мощных СВЧ-транзисторов К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, А. И. Торопов

    by Журавлев, Константин Сергеевич | Мансуров, В. Г | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    23.
    Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой и др.

    by Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Пищагин, Антон Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    24.
    Удвоения частоты осцилляций зеркального рефлекса картины дифракции быстрых электронов на отражение при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs В. П. Ващенко

    by Ващенко, В. П.

    Source: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    25.
    Distribution of the surface potential of epitaxial HgCdTe V. A. Novikov, D. V. Grigoryev, D. A. Bezrodnyy, S. A. Dvoretsky

    by Novikov, Vadim A | Bezrodnyy, Dmitriy A | Dvoretsky, Sergei A | Grigoryev, Denis V | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Applied physics lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    26.
    Background donor concentration in HgCdTe I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.]

    by Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Fitsych, Olena I | Pociask-Bialy, Malgorzata | Dvoretsky, Sergei A | Mynbaev, Karim D | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    27.
    Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, Р. М. Х. Духан

    by Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Духан, Рахаф М. Х | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Dependence of dark current of quantum dot infrared photodetectors on the dispersion of islands by sizes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    28.
    Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs interface for spin-polarimetry applications O. E. Tereshchenko, V. A. Golyashov, S. V. Eremeev [et.al.]

    by Tereshchenko, Oleg E | Eremeev, Sergey V | Maurin, I | Bakulin, Alexander V | Kulkova, Svetlana E | Aksenov, Maxim S | Preobrazhenskii, V. V | Putyato, M. A | Semyagin, B. R | Golyashov, Vladimir A | Dmitriev, D. V | Toropov, A. I | Gutakovskii, Anton K | Khandarkhaeva, S. E | Prosvirin, Igor P.

    Source: Applied physics lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    29.
    Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    30.
    Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, Е. А. Колосовский и др.

    by Дмитриев, Дмитрий Владимирович физик | Мансуров, В. Г | Колосовский, Евгений Анатольевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    31.
    Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский

    by Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    32.
    Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Grigoryev, Denis V | Lyapunov, D. V | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    33.
    Effective diffusion length and elementary surface processes in the concurrent growth of nanowires and 2D layers Yu. Yu. Hervieu

    by Hervieu, Yurij Yurevich.

    Source: Journal of crystal growthMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    34.
    Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия Российской академии наук. Серия физическаяMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    35.
    Вентильный источник фосфора для молекулярно-лучевой эпитаксии на основе термического разложения InP: конструкция, характеристики, применение М. А. Путято, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин и др.

    by Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    36.
    Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator S. M. Dzyadukh, A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Sidorov, Georgiy Yu | Varavin, Vasilii S | Vasilev, Vladimir V | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Dzyadukh, Stanislav M.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    37.
    Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercury cadmium telluride I. Izhnin, O. I. Fitsych, Z. Świątek [et al.]

    by Fitsych, Olena I | Świątek, Zbigniew | Morgiel, Jerzy | Bonchyk, A. Yu | Savytskyy, Hrygory V | Mynbaev, Karim D | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Yakushev, Maxim V | Marin, Denis V | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Izhnin, Igor I.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    38.
    Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 –xCdxTe (x = 0.21–0.23) in a wide temperature range A. V. Voytsekhovskiy, N. A. Kulchitsky, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Kulchitsky, N. A | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Journal of communications technology and electronicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    39.
    Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovsky [et.al.]

    by Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Bonchyk, A. Yu | Savytskyy, Hrygory V | Mynbaev, Karim D | Fitsych, Olena I.

    Source: Infrared physics and technologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    40.
    Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Романов, Иван Сергеевич | Коханенко, Андрей Павлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    41.
    Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Grigoryev, Denis V | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    42.
    Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe И. И. Ижнин, И. И. Сыворотка, А. В. Войцеховский [и др.]

    by Сыворотка, Игорь Игоревич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Ремесник, Владимир Григорьевич | Якушев, Максим Витальевич | Ижнин, Игорь Иванович | Świątek, Zbigniew.

    Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Radiation donor defects in arsenic implanted CdHgTe MBE films.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    43.
    Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский и др.

    by Ижнин, Игорь Иванович | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Фицич, Елена Ивановна | Савицкий, Григорий Владимирович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    44.
    Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    45.
    Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Н. С. Кравцова

    by Кравцова, Наталья Сергеевна.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Modeling of parameters of transistors based on epitaxial GeSi/Si films grown by the MBE method.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    46.
    Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100) А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    47.
    Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский

    by Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    48.
    Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers A. I. Nikiforov, V. F. Timofeev, O. P. Pchelyakov

    by Nikiforov, Alexander I | Timofeev, Vyacheslav F | Pchelyakov, Oleg P.

    Source: Applied surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    49.
    Пороговые характеристики инфракрасных МДП-детекторов на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: VII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Threshold characteristics of MIS-photodetector based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on alternative substrates.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    50.
    Влияние температуры подложки и скорости роста на состав твердого раствора GaPxAs1-x при молекулярно-лучевой эпитаксии А. С. Круглов

    by Круглов, А. С.

    Source: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :