Normal view
MARC view
Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells A. V. Voitsekhovskii, D. I. Gorn
Material type: ArticleSubject(s): квантовые ямы | молекулярно-лучевая эпитаксия | МДП-структуры | теллурид кадмия-ртутиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Advanced Materials Research Vol. 1040. P. 34-38No physical items for this record
Библиогр.: 7 назв.
Ограниченный доступ
There are no comments on this title.