Normal view
MARC view
Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг А. Г. Коротаев, И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): эпитаксиальные пленки | молекулярно-лучевая эпитаксия | ионная имплантация | мышьякGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов С. 140Abstract: В работе представлены результаты исследований процессов накопления радиационных донорных дефектов и их отжига в подвергнутых ионной имплантации (ИИ) мышьяком (As) гетероэпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe (ГЭС КРТ) с составом активной области ха~0.3 и их сравнение с ранее проведенными аналогичными исследованиями для пленок с ха~0.22.
No physical items for this record
Библиогр.: 1 назв.
В работе представлены результаты исследований процессов накопления радиационных донорных дефектов и их отжига в подвергнутых ионной имплантации (ИИ) мышьяком (As) гетероэпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe (ГЭС КРТ) с составом активной области ха~0.3 и их сравнение с ранее проведенными аналогичными исследованиями для пленок с ха~0.22.
There are no comments on this title.