Normal view
MARC view
Зависимость упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте германия на кремнии А. П. Коханенко, В. В. Дирко, К. А. Лозовой
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Dependence of elastic stresses on the thickness of the deposited material for germanium growth on silicon [Parallel title]Subject(s): упругие напряжения | двумерные материалы | квантовые точки | молекулярно-лучевая эпитаксия | кремний | германийGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г С. 183-185Abstract: В данной работе методом дифракции быстрых электронов определены зависимости величины упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте квантовых точек германия на кремнии. Показано, что относительная величина рассогласования решеток между осаждаемым материалом и подложкой в этой системе достигает величины в 12,5 %.
No physical items for this record
Библиогр.: 1 назв.
В данной работе методом дифракции быстрых электронов определены зависимости величины упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте квантовых точек германия на кремнии. Показано, что относительная величина рассогласования решеток между осаждаемым материалом и подложкой в этой системе достигает величины в 12,5 %.
There are no comments on this title.