Normal view
MARC view
Capacitance–voltage characteristics of metal–insulator–semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh
Material type: ArticleSubject(s): металл-диэлектрик-полупроводник, структура | варизонные слои | молекулярно-лучевая эпитаксия | кадмиевый теллурид ртутиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Thin solid films Vol. 522. P. 261-266No physical items for this record
Библиогр.: 41 назв.
There are no comments on this title.