Normal view
MARC view
Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Торхов Николай Анатольевич ; науч. рук. Божков В. Г. ; Том. гос. ун-т, ОАО НИИПП
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 2007Description: 134 л. илSubject(s): диссертации | эпитаксиальные пленки | арсенид галлия | полупроводниковые пленки | поверхности полупроводников | атомарный водород | численное моделирование | нанотехнологии | Шоттки барьер | нанопленки тонкие | квантовый топоперенос | диэлектрические пленки | кремниевая кислотаGenre/Form: диссертации Online resources: Click here to access online
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-926688к (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000572180 |
Библиогр.: л. 115-130
Доступ в сети ТГУ
There are no comments on this title.