Normal view
MARC view
Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе (Record no. 499958)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02432nam a2200469 i 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000226662 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319224234.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 171211s2007 ru a fsbm 000 0 rus d |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000226662 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 072 #7 - Код предметной/темат. категории | |
| Код предметной/темат. категории | 01.04.10 |
| Источник кода | nsnr |
| 080 ## - Индекс УДК | |
| Индекс УДК | 539.216.2:621.793.162:546.681'191.1(043.3) |
| 080 ## - Индекс УДК | |
| Индекс УДК | 537.311.322:546.681'191.1:538.9(043.3) |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Торхов, Николай Анатольевич. |
| 9 (RLIN) | 77826 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе |
| Продолж. заглавия | диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
| Ответственность | Торхов Николай Анатольевич ; науч. рук. Божков В. Г. ; Том. гос. ун-т, ОАО НИИПП |
| 260 ## - Выходные данные | |
| Место издания | Томск |
| Издательство | [б. и.] |
| Дата издания | 2007 |
| 300 ## - Физическое описание | |
| Объем | 134 л. |
| Иллюстрации/тип воспроизводства | ил. |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: л. 115-130 |
| 506 ## - Ограничения на доступ к материалу | |
| Ограничения доступа | Доступ в сети ТГУ |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | диссертации |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | арсенид галлия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводниковые пленки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | поверхности полупроводников |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | атомарный водород |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | численное моделирование |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | нанотехнологии |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | Шоттки барьер |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | нанопленки тонкие |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | квантовый топоперенос |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | диэлектрические пленки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кремниевая кислота |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | диссертации |
| 9 (RLIN) | 879354 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Божков, Владимир Григорьевич. |
| Код отношения | ths |
| 9 (RLIN) | 80365 |
| 710 2# - Другие организации | |
| Организация/юрисдикция | Томский государственный университет. |
| 9 (RLIN) | 53646 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| Код страны | ru |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000226662">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000226662</a> |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 499958 |
| Не выдается | Отсутствует на месте | Поврежден | Исходное место хранения | Местоположение | Дата поступления | Цена | Всего выдач | Расстановочный шифр | Штрих-код | Класс экземпляра |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Научная библиотека ТГУ | Книгохранилище | 05/04/2021 | 200.00 | 1-926688к | 13820000572180 | Выдается в читальный зал |