|
|
1.
|
|
|
|
2.
|
|
|
|
3.
|
|
|
|
4.
|
|
|
|
5.
|
Исследование рельефа и поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок GaAs методом атомно-силовой микроскопии В. А. Новиков, И. В. Ивонин, В. Г. Божков, Н. А. Торхов by Новиков, Вадим Александрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Божков, Владимир Григорьевич | Торхов, Николай Анатольевич. Source: Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, РоссияMaterial type:  Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
6.
|
|
|
|
7.
|
|
|
|
8.
|
|
|
|
9.
|
|
|
|
10.
|
|
|
|
11.
|
Исследование проникновения атомарного водорода в арсенид галлия во время гидрогенизации при низком давлении В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Д. И. Проскуровский, Н. А. Торхов by Божков, Владимир Григорьевич | Кагадей, Валерий Алексеевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Торхов, Николай Анатольевич. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
12.
|
Монолитные и квазимонолитные модули и устройства мм-диапазона на основе арсенид галлиевых МИС В. Г. Божков, В. А. Геннеберг, К. И. Куркан, В. И. Перфильев by Божков, Владимир Григорьевич | Геннеберг, В. А | Куркан, К. И | Перфильев, Виктор Иванович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
13.
|
|
|
|
14.
|
|
|
|
15.
|
Перспективные разработки ОАО "НИИПП" на базе арсенидогаллиевой технологии В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. А. Пономарев, Э. Ф. Яук by Божков, Владимир Григорьевич | Монастырев, Е. А | Пономарев, А. А | Яук, Э. Ф. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
16.
|
|
|
|
17.
|
|
|
|
18.
|
|
|
|
19.
|
|
|
|
20.
|
|
|
|
21.
|
|
|
|
22.
|
|
|
|
23.
|
Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Т. М. Табакаева by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Божков, Владимир Григорьевич | Кагадей, Валерий Алексеевич | Табакаева, Татьяна Михайловна. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
24.
|
|
|
|
25.
|
|
|
|
26.
|
|
|
|
27.
|
|
