Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы
  • Your search returned 107 results.

    1.
    Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок Л. Н. Александров; Акад. наук СССР, Сибирское отд-ние, Ин-т физики полупроводников; Отв. ред А. Ф. Кравченко

    by Александров, Леонид Наумович | Кравченко, Александр Филиппович [ред.].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Новосибирск Наука. Сибирское отделение 1978Availability: Items available for loan: (3).
    2.
    Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, I. I. Izhnin

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Izhnin, Igor I | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Effect of a boron implantation on the electrical properties of epitaxial HgCdTe with different material composition D. V. Lyapunov, A. A. Pishchagin, D. V. Grigoryev [et.al.]

    by Lyapunov, D. V | Grigoryev, Denis V | Korotaev, Alexander G | Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Iznin, I. I | Savytskyy, Hrygory V | Bonchyk, A. Yu | Dvoretsky, Sergei A | Pishchagin, Anton A | Mikhailov, Nikolay N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков и др.

    by Веревкин, Сергей Сергеевич | Говорков, А. В | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, А. Я | Смирнов, Н. Б | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Electrical characteristics of epitaxial MCT after As+ implantation A. Voitsekhovskii, I. Izhnin, A. Korotaev [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Lyapunov, D. V | Dvoretsky, Sergei A | Smirnov, P | Izhnin, Igor I.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др.

    by Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Growth of epitaxial SiSn films with high Sn content for IR converters V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. P. Kokhanenko [et.al.]

    by Timofeev, V. A | Kokhanenko, Andrey P | Tuktamyshev, Artur R | Mashanov, Vladimir I | Loshkarev, Ivan D | Novikov, Vladimir A | Nikiforov, Alexander I.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    The relaxation of electrophysical properties HgCdTe epitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air A. G. Korotaev, D. V. Grigoryev, A. V. Voitsekhovskii [et al.]

    by Grigoryev, Denis V | Voytsekhovskiy, Alexander V | Lozovoy, Kirill A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Ripenko, V. S | Shulepov, Mikhail A | Erofeev, Mikhail V | Yakushev, Maxim V | Dvoretsky, Sergei A | Korotaev, Alexander G | Mikhailov, Nikolay N | Varavin, Vasilii S.

    Source: Surface and coatings technologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films D. V. Grigoryev, A. V. Voytsekhovskii, A. G. Korotaev [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Lyapunov, D. V | Lozovoy, Kirill A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Erofeev, Mikhail V | Ripenko, V. S | Dvoretsky, Sergei A | Grigoryev, Denis V | Mikhailov, Nikolay N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Влияние высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КРТ П. А. Ермаченков

    by Ермаченков, Павел Андреевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Influence of a high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric pressure air on the electrophysical properties of CdHgTe epitaxial films.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Changes in the electro-physical properties of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalanche beam in atmospheric-pressure air D. V. Grigoryev, A. V. Voytsekhovskii, K. A. Lozovoy [et.al.]

    by Grigoryev, Denis V | Lozovoy, Kirill A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe В. А. Новиков, Д. В. Григорьев, А. В. Войцеховский и др.

    by Новиков, Вадим Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Григорьев, Денис Валерьевич.

    Source: Нанофизика и наноэлектроника : труды XIX Международного симпозиума, 10-14 марта 2015 г., Нижний НовгородMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Н. С. Кравцова

    by Кравцова, Наталья Сергеевна.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17–20 апреля 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Modeling of parameters of transistors based on epitaxial GeSi/Si films grown by the MBE method.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Surface structure of thin pseudomorphous GeSi layers A. I. Nikiforov, V. F. Timofeev, O. P. Pchelyakov

    by Nikiforov, Alexander I | Timofeev, Vyacheslav F | Pchelyakov, Oleg P.

    Source: Applied surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    15.
    The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films D. V. Grigoryev, V. A. Novikov, D. A. Bezrodnyy [et.al.]

    by Grigoryev, Denis V | Bezrodnyy, Dmitriy A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Novikov, Vadim A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: 12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : AbstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    16.
    The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films D. V. Grigoryev, V. A. Novikov, D. A. Bezrodnyy [et.al.]

    by Grigoryev, Denis V | Bezrodnyy, Dmitriy A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Novikov, Vadim A.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Electro-physical characteristics of a HgCdTe epitaxial films upon exposure by a volume discharge in air at atmospheric pressure A. V. Barko, A. A. Pishchagin, D. V. Grigoryev [et.al.]

    by Barko, A. V | Grigoryev, Denis V | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Pishchagin, Anton A.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Измерение фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ С. Р. Усманов

    by Усманов, С. Р.

    Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    19.
    Geometric and electronic structure of the Cs-doped Bi2Se3(0001) surface M. M. Otrokov, A. Ernst, K. Mohseni [et al.]

    by Ernst, Arthur | Mohseni, Katayoon | Fulara, H | Roy, S | Castro, G. R | Rubio-Zuazo, J | Ryabishchenkova, Anastasiya G | Kokh, Konstantin A | Tereshchenko, Oleg E | Otrokov, Mikhail M | Aliev, Ziya S | Babanly, Mahammad B | Chulkov, Evgueni V | Meyerheim, Holger L | Parkin, S. S. P.

    Source: Physical Review BMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    20.
    Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения А. В. Войцеховский, И. И. Ижнин, А. Г. Коротаев [и др.]

    by Ижнин, Игорь Иванович | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Ремесник, Владимир Григорьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    21.
    Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe И. И. Ижнин, И. И. Сыворотка, А. В. Войцеховский [и др.]

    by Сыворотка, Игорь Игоревич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Ремесник, Владимир Григорьевич | Якушев, Максим Витальевич | Ижнин, Игорь Иванович | Świątek, Zbigniew.

    Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Radiation donor defects in arsenic implanted CdHgTe MBE films.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    22.
    Влияние условий зарождения пленок GaN на их полярность при молекулярно-лучевой эпитаксии Т. Х. Хамзин

    by Хамзин, Т. Х.

    Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    23.
    Changes in the electro-physical propertyies of MCT epitaxial films affected by a plasma volume discharge induced by an avalache beam in atmospheric-pressure air D. V. Grigoryev, A. V. Voytsekhovskii, K. A. Lozovoy [et.al.]

    by Grigoryev, Denis V | Lozovoy, Kirill A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: 12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : AbstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    24.
    Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1 В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, Н. Г. Колин, А. В. Корулин

    by Веревкин, Сергей Сергеевич | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    25.
    Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электронные свойства поверхности эпитаксиальных пленок КРТ Д. В. Григорьев, В. А. Новиков, В. Ф. Тарасенко. М. А. Шулепов

    by Григорьев, Денис Валерьевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Новиков, Вадим Александрович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    26.
    Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, O. I. Fitsych [et al.]

    by Syvorotka, I. I | Fitsych, Olena I | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Marin, Denis V | Mikhailov, Nikolay N | Remesnik, V. G | Yakushev, Maxim V | Mynbaev, Karim D | Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G.

    Source: Semiconductor science and technologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    27.
    The relaxation of electrophysical properties of MCT epitaxial films after influence of a high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric pressure air P. A. Ermachenkov, D. V. Grigoryev, A. V. Voytsekhovskiy [et al.]

    by Grigoryev, Denis V | Voytsekhovskiy, Alexander V | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Ripenko, V. S | Shulepov, Mikhail A | Erofeev, Mikhail V | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Ermachenkov, P. A.

    Source: 6th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2018), September 16-22, 2018, Tomsk, Russia : abstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    28.
    Особенности получения эпитаксиальных пленок КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. Г. Латтеган

    by Латтеган, А. Г.

    Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    29.
    Радиационные эффекты в HgCdTe А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев и др.

    by Коханенко, Андрей Павлович | Коротаев, Александр Григорьевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Кульчицкий, Николай Александрович | Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    30.
    31.
    Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions V. A. Timofeev, A. P. Kokhanenko, A. I. Nikiforov [et.al.]

    by Timofeev, V. A | Nikiforov, Alexander I | Mashanov, Vladimir I | Tuktamyshev, Artur R | Loshkarev, Ivan D | Kokhanenko, Andrey P | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    32.
    Investigation of surface potential in the V-defect region of MBE CdxHg1−xTe film V. A. Novikov, D. V. Grigoryev

    by Novikov, Vadim A | Grigoryev, Denis V.

    Source: SemiconductorsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    33.
    Influence of composition of Hg1-xCdxTe(x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation A. V. Voytsekhovskiy, D. V. Grigoryev, A. G. Korotaev [et al.]

    by Grigoryev, Denis V | Korotaev, Alexander G | Kokhanenko, Andrey P | Lozovoy, Kirill A | Izhnin, Igor I | Savytskyy, Hrygory V | Bonchyk, A. Yu | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Voytsekhovskiy, Alexander V | Varavin, Vasilii S | Yakushev, Maxim V.

    Source: Materials research expressMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    34.
    Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами В. М. Бойко, В. Н. Брудный, С. С. Веревкин и др.

    by Бойко, В. М | Веревкин, Сергей Сергеевич | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, А. Я | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    35.
    Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn В. А. Тимофеев, А. П. Коханенко, А. И. Никифоров и др.

    by Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Никифоров, Александр Иванович | Машанов, Владимир Иванович | Туктамышев, Артур Раисович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Коханенко, Андрей Павлович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    36.
    Релаксация электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ при воздействии высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, П. А. Ермаченков [и др.]

    by Григорьев, Денис Валерьевич | Ермаченков, Павел Андреевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Ерофеев, Михаил Владимирович | Рипенко, Василий Сергеевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: The relaxation of electrophysical properties of MCT epitaxial films after influence of a high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric pressure air.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    37.
    Расчет фотоэлектрических параметров эпитаксиальных варизонных пленок КРТ Н. В. Нестерович

    by Нестерович, Н. В.

    Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    38.
    Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др.

    by Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Коханенко, Андрей Павлович | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    39.
    Облучение высокоэнергетическими электронами эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев, М. Ф. Филатов

    by Григорьев, Денис Валерьевич | Леонтьев, Д. В | Филатов, М. Ф.

    Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    40.
    Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films A. V. Voytsekhovskiy, I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka [et al.]

    by Izhnin, Igor I | Syvorotka, I. I | Korotaev, Alexander G | Mynbaev, Karim D | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Remesnik, V. G | Yakushev, Maxim V | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: 6th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2018), September 16-22, 2018, Tomsk, Russia : abstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    41.
    Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films D. V. Grigoryev, A. V. Voitsekhovskii, K. A. Lozovoy [et.al.]

    by Grigoryev, Denis V | Lozovoy, Kirill A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Atomic and Molecular Pulsed Lasers : 12 International Conference, September 14-18, 2015, Tomsk, Russia : abstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    42.
    Influence of complex impact of the picosecond electron beam and volume discharge in atmospheric-pressure air on the electronic properties of MCT epitaxial films surface D. V. Grigoryev, V. A. Novikov, D. A. Bezrodnyy [et.al.]

    by Grigoryev, Denis V | Bezrodnyy, Dmitriy A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Dvoretsky, Sergei A | Novikov, Vadim A.

    Source: Proceedings of SPIEMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    43.
    Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, Д. С. Абрамкин и др.

    by Емельянов, Евгений Александрович | Абрамкин, Демид Суад | Пчеляков, Олег Петрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Василенко, Антон Павлович | Феклин, Дмитрий Федорович | Zhicuan, Niu | Коханенко, Андрей Павлович | Haiqiao, Ni | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    44.
    Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Д. В. Ходкевич, М. Ф. Филатов

    by Ходкевич, Д. В | Филатов, М. Ф.

    Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    45.
    Измерение спектральных характеристик эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути С. Р. Усманов

    by Усманов, С. Р.

    Source: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    46.
    Исследование рельефа и поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок GaAs методом атомно-силовой микроскопии В. А. Новиков, И. В. Ивонин, В. Г. Божков, Н. А. Торхов

    by Новиков, Вадим Александрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Божков, Владимир Григорьевич | Торхов, Николай Анатольевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    47.
    Влияние параметров квантовых точек на характеристики системы материалов Si/Ge Н. А. Торопов, А. М. Турапин

    by Торопов, Никита Александрович | Турапин, Алексей Михайлович.

    Source: Физика : материалы XLVIII международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 10-14 апреля 2010 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    48.
    Nano‑size defect layers in arsenic‑implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, I. I. Izhnin [et al.]

    by Izhnin, Igor I | Mynbaev, Karim D | Syvorotka, I. I | Korotaev, Alexander G | Voytsekhovskiy, Alexander V | Fitsych, Olena I | Varavin, Vasilii S | Marin, Denis V | Bonchyk, A. Yu | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Świątek, Zbigniew | Morgiel, Jerzy | Jakiela, Rafal | Savytskyy, Hrygory V.

    Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    49.
    Влияние дополнительного слоя CdTe на характеристики МДП КРТ с варизонными слоями И. В. Суханов

    by Суханов, Иван Вячеславович.

    Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    50.
    Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ В. А. Новиков, Д. В. Григорьев

    by Новиков, Вадим Александрович | Григорьев, Денис Валерьевич.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :