Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Refine your search

Your search returned 41 results.

1.
The radiation defects introduction in InP shottky diodes V. V. Peshev, E. G. Soboleva

by Peshev, V. V | Soboleva, E. G.

Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
2.
Electrophysical characteristics of Sub-THz diode with Schottky barrier V. D. Moskalenko, A. V. Badin, D. A. Pidotova

by Moskalenko, Victoriya D | Badin, Alexander V | Pidotova, Diana A.

Source: 2020 21st International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM)Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
3.
Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия О. В. Литвинюк, В. Л. Костенко, Л. Б. Дмитриева

by Литвинюк, О. В | Костенко, В. Л | Дмитриева, Л. Б.

Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
4.
Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки М. Р. Федюнина, В. А. Бурмистрова, О. В. Дейс, Н. В. Земскова

by Федюнина, М. Р | Бурмистрова, В. А | Дейс, О. В | Земскова, Н. В.

Source: Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
5.
The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition V. G. Bozhkov, A. V. Shmargunov, T. P. Bekezina [et.al.]

by Shmargunov, A. V | Bekezina, T. P | Torkhov, N. A | Novikov, Vladimir A | Bozhkov, V. G | Томский государственный университет Химический факультет Научные подразделения ХФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

Source: Journal of applied physicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
6.
Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем В. И. Шишкин, В. Л. Вакс, Е. А. Вопилкин [и др.]

by Шашкин, В. И | Вакс, В. Л | Вопилкин, Е. А.

Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
7.
8.
Влияние нормального распределения высоты барьера на характеристики контакта с барьером Шоттки В. Г. Божков, С. Е. Зайцев

by Божков, Владимир Григорьевич | Зайцев, С. Е.

Source: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
9.
Некоторые проблемы физики реальных контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки В. Г. Божков

by Божков, Владимир Григорьевич.

Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
10.
11.
Низкочастотный шум в неоднородных контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки О. В. Васильев, В. Г. Божков

by Васильев, О. В | Божков, Владимир Григорьевич.

Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
12.
Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом атомно-силовой микроскопии В. А. Новиков, Ю. Н. Назарчук

by Новиков, Вадим Александрович | Назарчук, Юлия Николаевна.

Source: Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
13.
Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC В. И. Алтухов, А. В. Санкин, В. Ф. Антонов [и др.]

by Санкин, Александр Викторович | Антонов, Владимир Феохарович | Филипова, Светлана Валерьевна | Митюгова, Ольга Александровна | Алтухов, Виктор Иванович.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
14.
Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом А. Н. Зарубин, А. Д. Лозинская, В. А. Новиков и др.

by Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Temperature dependences of current-voltage characteristics of radiation imaging sensors based on GaAs:Cr.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
15.
"Низкотемпературная аномалия" в контактах "металл - полупроводник" с барьером Шоттки В. Г. Божков, С. Е. Зайцев

by Божков, Владимир Григорьевич | Зайцев, С. Е.

Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
16.
Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Т. М. Табакаева

by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Божков, Владимир Григорьевич | Кагадей, Валерий Алексеевич | Табакаева, Татьяна Михайловна.

Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
17.
К вопросу о природе низкотемпературных избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs

by Филонов, Николай Григорьевич.

Source: Труды V международной конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения, АПЭП-2000", Новосибирск, 26-29 сентября 2000: В 7 т.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
18.
Повышение квантовой эффективности ИК-фотоприемников на основе PtSi-Si С. Н. Несмелов

by Несмелов, Сергей Николаевич.

Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
19.
Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков

by Назарчук, Юлия Николаевна | Новиков, Вадим Александрович.

Source: Физика : материалы XLVIII международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 10-14 апреля 2010 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
20.
Детекторы терагерцового излучения А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др.

by Войцеховский, Александр Васильевич | Кульчицкий, Николай Александрович | Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук | Мальцев, Петр Павлович | Несмелов, Сергей Николаевич.

Source: Высокие технологии в промышленности России : (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы XVIII Международной научно-технической конференции (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2012, 6-8 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XXV Международного симпозиума (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2012, 6-8 сентября). Наноинженерия : материалы V Международной научно-технической конференции (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2012, 6-8 сентября)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
21.
Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки В. И. Арсентьев, Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Г. И. Котов

by Арсентьев, И. Н | Безрядин, Николай Николаевич | Домашевская, Эвелина Павловна | Котов, Геннадий Иванович.

Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
22.
Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков, Н. А. Торхов

by Назарчук, Юлия Николаевна | Новиков, Вадим Александрович | Торхов, Николай Анатольевич | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

Source: Молодежная научная конференция Томского государственного университета, 2009 г. Вып. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
23.
К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs Н. Г. Филонов

by Филонов, Николай Григорьевич.

Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
24.
Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Чалдышев, М. А. Путято, Б. Р. Семянгин [и др.]

by Чалдышев, Владимир Викторович | Путято, Михаил Альбертович | Семянгин, Б. Р | Преображенский, Валерий Владимирович | Пчеляков, Олег Петрович | Хан, А. В | Канаев, В. Г | Широкова, Л. С | Голиков, А. В | Кагадей, Валерий Алексеевич | Лиленко, Ю. В | Карпович, Нина Васильевна.

Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
25.
Полупроводниковые СВЧ-приборы В. Г. Божков, В. С. Лукаш

by Божков, Владимир Григорьевич | Лукаш, Виталий Сергеевич.

Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
26.
Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers E. Verbitskaya, T. J. Bowles, V. Eremin [et.al.]

by Verbitskaya, E | Bowles, T. J | Eremin, V. K.

Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
27.
Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов

by Вяткин, Анатолий Петрович | Максимова, Надежда Кузьминична | Филонов, Николай Григорьевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
28.
Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Торхов Николай Анатольевич ; науч. рук. Божков В. Г. ; Том. гос. ун-т, ОАО НИИПП

by Торхов, Николай Анатольевич | Божков, Владимир Григорьевич [ths] | Томский государственный университет.

Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2007Online access: Click here to access online Availability: Items available for loan: (1).
29.
Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Ластовка Владимир Викторович ; науч. рук. Котляревский М. Б., Носков Д. А. ; Том. ин-т автоматизированных систем управления и радиоэлектроники

by Ластовка, Владимир Викторович | Котляревский, Марк Борисович [ths] | Носков, Д. А [ths] | Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники.

Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1983Availability: Items available for loan: (1).
30.
Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов

by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
31.
Фотодиоды учебное пособие [сост. В. П. Гермогенов] ; Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак.

by Гермогенов, Валерий Петрович [com] | Томский государственный университет Радиофизический факультет.

Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Томск [б. и.] 2008Availability: Items available for loan: (50).
32.
Полупроводниковая электроника Электронный ресурс учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»] Гермогенов В. П., Вячистая Ю. В. ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]

by Гермогенов, Валерий Петрович | Вячистая, Юлия Валерьевна | Томский государственный университет Институт дистанционного образования.

Material type: Computer file Computer file; Format: electronic available online remote Publication details: Томск [ИДО ТГУ] 2015Online access: Click here to access online Availability: No items available :
33.
Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Шмаргунов Антон Владимирович ; науч. рук. Божков В. Г. ; Том. гос. ун-т

by Шмаргунов, Антон Владимирович | Божков, Владимир Григорьевич [ths] | Томский государственный университет.

Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2015Online access: Click here to access online Availability: Items available for loan: (1).
34.
Контакты металл-полупроводник: физика и модели В. Г. Божков ; Науч.-исслед. ин-т полупроводниковых приборов (АО "НИИПП")

by Божков, Владимир Григорьевич.

Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Online access: Click here to access online Availability: Items available for loan: (1).
35.
Новые материалы электронной техники сборник научных трудов Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов

by Кузнецов, Федор Андреевич, 1932-2014 [edt].

Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Новосибирск Наука. Сибирское отделение 1990Availability: Items available for loan: (1).
36.
Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия [монография] Н. Г. Филонов, И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Том. гос. пед. ун-т ; [под ред. Н. Г. Филонова]

by Филонов, Николай Григорьевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет | Томский государственный педагогический университет.

Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2018Online access: Click here to access online Availability: Items available for loan: (3).
37.
Физика полупроводниковых приборов А. И. Лебедев

by Лебедев, Александр Иванович.

Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Москва Физматлит 2008Online access: Click here to access online Availability: Items available for loan: (1).
38.
Физика полупроводниковых приборов [Учебное пособие для вузов по специальностям: "Радиофизика и электроника", "Оптоэлектронные приборы и системы"] В. И. Гаман

by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021.

Material type: Text Text; Format: print Publication details: Томск Издательство научно-технической литературы 2000Availability: Items available for loan: (107). Checked out (4).
39.
Основы микросхемотехники А. Г. Алексенко

by Алексенко, Андрей Геннадьевич.

Series: Технический университетEdition: Изд. 3-еMaterial type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Language: Russian Publication details: М. БИНОМ. Лаб. знаний 2006Availability: Items available for loan: (5).
40.
Основы микросхемотехники А. Г. Алексенко

by Алексенко, Андрей Геннадьевич.

Series: Технический университетEdition: Изд. 3-еMaterial type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Language: Russian Publication details: Москва БИНОМ. Лаборатория знаний 2017Availability: Items available for loan: (1).
41.
Твердотельная электроника учебное пособие : [для вузов по специальности 010701 "Физика"] В. Гуртов

by Гуртов, Валерий Алексеевич.

Series: Мир электроникиEdition: 2-е изд., доп.Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Language: Russian Publication details: М. Техносфера 2005Availability: Items available for loan: (40). Checked out (1).