Normal view
MARC view
Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Чалдышев, М. А. Путято, Б. Р. Семянгин [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): арсенид галлия | полупроводниковое материалы | эпитаксиальные структуры | молекулярно-лучевая эпитаксия | интегральные схемы | полевые транзисторы | Шоттки барьер | эпитаксиальные пленки In: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 169-171No physical items for this record
There are no comments on this title.