Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'su:"МДП-структуры"'

Your search returned 74 results.

	1.	No cover image available Admittance of MIS structures based on nBn systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3–5 μm spectral range A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M \| Dvoretsky, Sergei A \| Mikhailov, Nikolay N \| Sidorov, Georgiy Yu \| Yakushev, Maxim V. Source: Technical physics lettersMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Dzyadukh, Stanislav M \| Vasilev, Vladimir V \| Varavin, Vasilii S \| Dvoretsky, Sergei A \| Mikhailov, Nikolay N \| Yakushev, Maxim V \| Sidorov, Georgiy Yu \| Nesmelov, Sergey N. Source: Journal of communications technology and electronicsMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Admittance of MIS structures based on graded-gap MBE HgCdTe with Al2O3 insulator A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Dzyadukh, Stanislav M \| Vasilev, Vladimir V \| Varavin, Vasilii S \| Dvoretsky, Sergei A \| Mikhailov, Nikolay N \| Yakushev, Maxim V \| Sidorov, Georgiy Yu \| Nesmelov, Sergey N. Source: Physica status solidi CMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Dzyadukh, Stanislav M \| Grigoryev, Denis V \| Lyapunov, D. V \| Nesmelov, Sergey N. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Admittance investigation of MIS structures with GgTe-based single quantum wells I. I. Izhnin, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.] by Izhnin, Igor I \| Dzyadukh, Stanislav M \| Voytsekhovskiy, Alexander V \| Gorn, Dmitriy Igorevich \| Dvoretsky, Sergei A \| Mikhailov, Nikolay N \| Nesmelov, Sergey N. Source: Nanoscale research lettersMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	7.	No cover image available Conduction mechanism of metal-TiO2–Si structures V. M. Kalygina, I. S. Egorova, I. A. Prudaev [et.al.] by Kalygina, Vera M \| Prudaev, Ilya A \| Tolbanov, Oleg P \| Atuchin, Victor V \| Egorova, I. S. Source: Chinese journal of physicsMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	8.	No cover image available Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Васильев, Владимир Васильевич физик \| Варавин, Василий Семенович \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Сидоров, Юрий Георгиевич \| Якушев, Максим Витальевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	9.	No cover image available Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices S. Dzyadukh, S. Nesmelov, A. Voytsekhovskiy, D. Gorn by Dzyadukh, Stanislav M \| Voytsekhovskiy, Alexander V \| Gorn, Dmitriy Igorevich \| Nesmelov, Sergey N. Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	10.	No cover image available Capacitive properties of metal-insulator-semiconductor systems based on an HgCdTe nBn structure grown by molecular beam epitaxy A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.] by Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M \| Dvoretsky, Sergei A \| Mikhailov, Nikolay N \| Sidorov, Georgiy Yu \| Yakushev, Maxim V \| Voytsekhovskiy, Alexander V. Source: Journal of communications technology and electronicsMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	11.	No cover image available The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te films A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M \| Varavin, Vasilii S \| Dvoretsky, Sergei A \| Mikhailov, Nikolay N \| Sidorov, Georgiy Yu \| Yakushev, Maxim V \| Marin, Denis V. Source: Technical physics lettersMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	12.	No cover image available Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др. by Средин, Виктор Геннадиевич \| Ананьин, Олег Борисович \| Мелехов, Андрей Петрович \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	13.	No cover image available Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K A. V. Voitsekhovskii, D. I. Gorn by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Gorn, Dmitriy Igorevich \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	14.	No cover image available Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Сидоров, Георгий Юрьевич \| Якушев, Максим Витальевич. Source: Письма в журнал технической физикиMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	15.	No cover image available Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	16.	No cover image available Influence of plasma volume discharge in atmospheric-pressure air on the admittance of MIS structures based on MBE p-HgCdTe A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Dzyadukh, Stanislav M \| Grigoryev, Denis V \| Tarasenko, Viktor Fedotovich \| Shulepov, Mikhail A \| Nesmelov, Sergey N. Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	17.	No cover image available Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 –xCdxTe (x = 0.21–0.23) in a wide temperature range A. V. Voytsekhovskiy, N. A. Kulchitsky, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh by Kulchitskii, N. A \| Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M \| Voytsekhovskiy, Alexander V. Source: Journal of communications technology and electronicsMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	18.	No cover image available Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator S. M. Dzyadukh, A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov [et al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Nesmelov, Sergey N \| Sidorov, Georgiy Yu \| Varavin, Vasilii S \| Vasilev, Vladimir V \| Dvoretsky, Sergei A \| Mikhailov, Nikolay N \| Yakushev, Maxim V \| Dzyadukh, Stanislav M. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	19.	No cover image available Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления В. М. Калыгина, А. Н. Зарубин, В. А. Новиков и др. by Зарубин, Андрей Николаевич \| Новиков, Владимир Александрович \| Петрова, Юлианна Сергеевна \| Толбанов, Олег Петрович \| Тяжев, Антон Владимирович \| Цупий, Светлана Юрьевна \| Яскевич, Тамара Михайловна \| Калыгина, Вера Михайловна \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	20.	No cover image available Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	21.	No cover image available Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Варавин, Василий Семенович \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Сидоров, Юрий Георгиевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	22.	No cover image available Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Варавин, Василий Семенович \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Сидоров, Георгий Юрьевич \| Якушев, Максим Витальевич \| Марин, Денис Викторович. Source: Письма в журнал технической физикиMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	23.	No cover image available Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Кульчицкий, Николай Александрович. Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Admittance of MIS structures based on MBE Hg1-xCdxTe ( x = 0.22-0.23) in a wide temperature range.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	24.	No cover image available Peculiarities of modeling the frequency dependences of admittance of MIS structure based on organic P3HT film with an insulator Al2O3 layer A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	25.	No cover image available Investigation of the differential resistance of MIS structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers A. V. Voytsekhovskiy, N. A. Kulchitskii, S. N. Nesmelov [et al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Kulchitskii, N. A \| Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M \| Varavin, Vasilii S \| Dvoretsky, Sergei A \| Mikhailov, Nikolay N \| Yakushev, Maxim V \| Sidorov, Georgiy Yu. Source: Journal of communications technology and electronicsMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	26.	No cover image available Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Сидоров, Георгий Юрьевич \| Якушев, Максим Витальевич \| Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Прикладная физикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Capacitive properties of MIS systems based on the HgCdTe nBn structure.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	27.	No cover image available Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов by Дзядух, Станислав Михайлович \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	28.	No cover image available Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	29.	No cover image available Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Сидоров, Георгий Юрьевич \| Варавин, Василий Семенович \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Якушев, Максим Витальевич \| Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	30.	No cover image available Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух by Несмелов, Сергей Николаевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	31.	No cover image available Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме В. М. Калыгина, О. С. Киселева, Б. О. Кушнарев [и др.] by Калыгина, Вера Михайловна \| Киселева, Ольга Сергеевна \| Кушнарев, Богдан Олегович \| Олейник, Владимир Леонидович \| Петрова, Юлианна Сергеевна \| Цымбалов, Александр Вячеславович. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	32.	No cover image available Electrophysical characteristics of the pentacene-based MIS structures with a SiO2 insulator V. A. Novikov, A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov [et al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M \| Kopylova, Tatyana N \| Degtyarenko, Konstantin M \| Chernikov, Evgeniy V \| Kalygina, Vera M \| Novikov, Vadim A. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	33.	No cover image available Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells A. V. Voitsekhovskii, D. I. Gorn by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Gorn, Dmitriy Igorevich \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Advanced Materials ResearchMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	34.	No cover image available Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M. Source: Journal of physics and chemistry of solidsMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	35.	No cover image available Анодные пленки Ga2О3 в МДП-структурах на основе арсенида галлия В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин и др. by Вишникина, Вера Валерьевна \| Зарубин, Андрей Николаевич \| Петрова, Юлианна Сергеевна \| Толбанов, Олег Петрович \| Тяжев, Антон Владимирович \| Яскевич, Тамара Михайловна \| Калыгина, Вера Михайловна \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	36.	No cover image available Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Кульчицкий, Николай Александрович. Source: Нано- и микросистемная техникаMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Impact of the near-surface graded-gap layers on the admittance of mis structures based on mbe n(p)-Hg1 – xCdxTe (x = 0,21...0,23) within the temperature range of 9...77 K.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	37.	No cover image available Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др. by Дзядух, Станислав Михайлович \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Сидоров, Георгий Юрьевич \| Варавин, Василий Семенович \| Васильев, Владимир Васильевич физик \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Якушев, Максим Витальевич \| Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	38.	No cover image available Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	39.	No cover image available Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	40.	No cover image available Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Варавин, Василий Семенович \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Сидоров, Юрий Георгиевич \| Васильев, Владимир Васильевич физик \| Якушев, Максим Витальевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	41.	No cover image available Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2 В. А. Новиков, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Копылова, Татьяна Николаевна \| Дегтяренко, Константин Михайлович \| Черников, Евгений Викторович \| Калыгина, Вера Михайловна \| Новиков, Вадим Александрович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	42.	No cover image available Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Васильев, Владимир Васильевич физик \| Варавин, Василий Семенович \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Кузьмин, Валерий Давыдович \| Ремесник, Владимир Григорьевич \| Сидоров, Юрий Георгиевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Прикладная физикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	43.	No cover image available Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.] by Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M \| Dvoretsky, Sergei A \| Mikhailov, Nikolay N \| Sidorov, Georgiy Yu \| Yakushev, Maxim V \| Voytsekhovskiy, Alexander V. Source: Semiconductor science and technologyMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	44.	No cover image available Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др. by Войцеховский, Александр Васильевич \| Несмелов, Сергей Николаевич \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Горн, Дмитрий Игоревич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	45.	No cover image available Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Васильев, Владимир Васильевич физик \| Варавин, Василий Семенович \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Кузьмин, Валерий Давыдович \| Ремесник, Владимир Григорьевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	46.	No cover image available Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures V. M. Kalygina, O. S. Kiselyeva, B. O. Kushnarev [et al.] by Kalygina, Vera M \| Kiselyeva, O. S \| Kushnarev, Bogdan O \| Oleinik, Vladimir L \| Petrova, Julianna S \| Tsymbalov, Alexander V. Source: SemiconductorsMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	47.	No cover image available Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Горн, Дмитрий Игоревич \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Сидоров, Георгий Юрьевич \| Якушев, Максим Витальевич. Source: Прикладная физикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Other title: Investigation of characteristics of MIS structures based on MBE n-HgCdTe NBvN barrier structures by admittance spectroscopy.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	48.	No cover image available Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V \| Dzyadukh, Stanislav M \| Grigoryev, Denis V \| Tarasenko, Viktor Fedotovich \| Shulepov, Mikhail A \| Nesmelov, Sergey N. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	49.	No cover image available Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич \| Дзядух, Станислав Михайлович \| Васильев, Владимир Васильевич физик \| Варавин, Василий Семенович \| Дворецкий, Сергей Алексеевич \| Михайлов, Николай Николаевич физик \| Кузьмин, Валерий Давыдович \| Ремесник, Владимир Григорьевич \| Войцеховский, Александр Васильевич \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	50.	No cover image available Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. V. Voytsekhovskiy [et al.] by Syvorotka, I. I \| Voytsekhovskiy, Alexander V \| Nesmelov, Sergey N \| Dzyadukh, Stanislav M \| Dvoretsky, Sergei A \| Mikhailov, Nikolay N \| Izhnin, Igor I. Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)

Scientific Library of Tomsk State University

E-catalog

Refine your search

Availability

Bibliographic level

Authors

Topics

База знаний по целевым капиталам

Your search returned 74 results.