Normal view
MARC view
Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
Material type:
ArticleSubject(s): МДП-структуры | молекулярно-лучевая эпитаксия | теллурид кадмия-ртути | варизонные слоиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 8/3. С. 235-238Abstract: В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-ми SiO2/Si3N4 и Al2O3. Рассмотрены особенности определения параметров поверхностных состояний для струк-тур на основе Hg1-xCdxTe с приповерхностным варизонным слоем.
No physical items for this record
Библиогр.: 12 назв.
В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-ми SiO2/Si3N4 и Al2O3. Рассмотрены особенности определения параметров поверхностных состояний для струк-тур на основе Hg1-xCdxTe с приповерхностным варизонным слоем.
There are no comments on this title.