|
1.
|
|
|
2.
|
|
|
3.
|
|
|
4.
|
|
|
5.
|
|
|
6.
|
|
|
7.
|
|
|
8.
|
|
|
9.
|
|
|
10.
|
|
|
11.
|
|
|
12.
|
|
|
13.
|
|
|
14.
|
|
|
15.
|
|
|
16.
|
|
|
17.
|
|
|
18.
|
Фотоэлектрические МДП-приборы В. А. Зуев, В. Г. Попов by Зуев, Владимир Алексеевич | Попов, Валентин Георгиевич. Material type: Text; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Publication details: Москва Радио и связь 1983Availability: No items available :
|
|
19.
|
|
|
20.
|
|
|
21.
|
|
|
22.
|
|
|
23.
|
|
|
24.
|
|
|
25.
|
|
|
26.
|
|
|
27.
|
|
|
28.
|
Electrical characterization of insulator-semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.] by Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Sidorov, Georgiy Yu | Voytsekhovskiy, Alexander V. Source: VacuumMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
29.
|
Electrophysical characteristics of the pentacene-based MIS structures with a SiO2 insulator V. A. Novikov, A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov [et al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Kopylova, Tatyana N | Degtyarenko, Konstantin M | Chernikov, Evgeniy V | Kalygina, Vera M | Novikov, Vadim A. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
30.
|
|
|
31.
|
|
|
32.
|
|
|
33.
|
|
|
34.
|
|
|
35.
|
|
|
36.
|
|
|
37.
|
|
|
38.
|
|
|
39.
|
|
|
40.
|
Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладовMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
41.
|
Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
42.
|
|
|
43.
|
|
|
44.
|
|
|
45.
|
|
|
46.
|
|
|
47.
|
|
|
48.
|
|
|
49.
|
|
|
50.
|
|