Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 142 results.

    1.
    Физика полупроводниковых приборов [Учебное пособие для вузов по специальностям: "Радиофизика и электроника", "Оптоэлектронные приборы и системы"] В. И. Гаман

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021.

    Material type: Text Text; Format: print Publication details: Томск Издательство научно-технической литературы 2000Availability: No items available :
    2.
    Твердотельная электроника учебное пособие : [для вузов по специальности 010701 "Физика"] В. Гуртов

    by Гуртов, Валерий Алексеевич.

    Series: Мир электроникиEdition: 2-е изд., доп.Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Language: Russian Publication details: Москва Техносфера 2005Availability: No items available :
    3.
    4.
    5.
    Всесоюзная конференция по физике соединений А3 В5, г. Новосибирск, 7-9 июля 1981 тезисы докладов

    by Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Новосибирск Типография ГПНТБ СО АН СССР 1981Availability: No items available :
    6.
    7.
    Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах Рос. АН, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

    by Гриценко, Владимир Алексеевич.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Новосибирск Наука 1993Availability: No items available :
    8.
    9.
    Неравновесные процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник В. А. Гуртов; Петрозавод. гос. ун-т им. О. В. Куусинена

    by Гуртов, Валерий Алексеевич.

    Material type: Text Text; Format: print Publication details: Петрозаводск ПГУ 1986Availability: No items available :
    10.
    Физика окисных пленок учебное пособие В. А. Гуртов, П. А. Райкерус, В. П. Малиненко ; Петрозавод. гос. ун-т им. О. В. Куусинена

    by Гуртов, Валерий Алексеевич | Райкерус, Павел Адамович | Малиненко, Владимир Пантелеймонович.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Петрозаводск [б. и.] 1988Availability: No items available :
    11.
    Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование отв. ред. Т. М. Махвиладзе

    by Махвиладзе, Тариэль Михайлович [edt].

    Series: Физико-технологический институт (Москва) Труды ФТИАН: Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Москва Наука 2014Availability: No items available :
    12.
    Физика МДП-структур Учебное пособие В. Ф. Сыноров, Ю. С. Чистов

    by Сыноров, Владимир Федорович | Чистов, Юрий Сергеевич.

    Series: МикроэлектроникаMaterial type: Text Text; Format: print Publication details: Воронеж Издательство Воронежского университета 1989Availability: No items available :
    13.
    Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики [С. Фонаш, А. Ротворф, Л. Казмерски и др.] ; под ред. [и с предисл.] Т. Коутса, Дж. Микина ; пер. с англ. И. П. Гавриловой; под ред. [и с предисл.] М. М. Колтуна

    by Фонаш, Стефен | Ротворф, А | Казмерски, Л | Коутс, Т [edt] | Микин, Дж [edt] | Колтун, Марк Михайлович [edt].

    Material type: Text Text; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Original language: English Publication details: Москва Мир 1988Other title: Current topic in photovoltaics.Availability: No items available :
    14.
    Фоточувствительные МДП-приборы для преобразования изображений Н. Ф. Ковтонюк, Е. Н. Сальников

    by Ковтонюк, Николай Филиппович | Сальников, Евгений Николаевич.

    Series: Массовая библиотека инженера "Электроника"Material type: Text Text; Format: print Publication details: М. Радио и связь 1990Availability: No items available :
    15.
    Электроника [учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки "Телекоммуникации"] Н. П. Ямпурин, А. В. Баранова, В. И. Обухов

    by Ямпурин, Николай Петрович | Баранова, Альбина Вячеславовна | Обухов, Василий Иванович.

    Series: Высшее профессиональное образованиеMaterial type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Language: Russian Publication details: Москва Академия 2011Availability: No items available :
    16.
    Физика полупроводниковых приборов [Кн. 1 ] в 2 кн. С. Зи ; пер. с англ. В. А. Гергеля, В. В. Ракитина ; под ред. Р. А. Суриса

    by Зи, С. М | Сурис, Р. А [edt].

    Edition: 2-е перераб. и доп. изд.Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Original language: English Publication details: Москва Мир 1984Other title: Physics of semiconductor devices.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Влияние неоднородной деформации на электрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Агафонникова Елена Викторовна ; науч. рук. Гаман В. И. ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Агафонникова, Елена Викторовна | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1989Availability: No items available :
    18.
    Фотоэлектрические МДП-приборы В. А. Зуев, В. Г. Попов

    by Зуев, Владимир Алексеевич | Попов, Валентин Георгиевич.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Москва Радио и связь 1983Availability: No items available :
    19.
    20.
    21.
    22.
    23.
    Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда В. Н. Овсюк ; отв. ред. А. В. Ржанов ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

    by Овсюк, Виктор Николаевич | Ржанов, Анатолий Васильевич [edt].

    Material type: Text Text; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Новосибирск Наука, Сибирское отделение 1984Availability: No items available :
    24.
    Физические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [учебное пособие для студентов вузов по направлению подготовки высшего образования 03.03.02 - Физика] А. М. Орлов, Б. М. Костишко, А. А. Скворцов ; Ульяновский гос. ун-т

    by Орлов, Анатолий Михайлович | Костишко, Борис Михайлович | Скворцов, Аркадий Алексеевич.

    Edition: 2-е изд., перераб. и доп.Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Ульяновск [Ульяновский государственный университет] 2015Availability: No items available :
    25.
    Труды 1-й конференции студенческого научно-исследовательского инкубатора, Томск, 15 февраля 2005 г. Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак. ; [под ред. В. В. Демина]

    by Томский государственный университет Радиофизический факультет Студенческий научно-исследовательский инкубатор Конференция 1 2005 | Демин, Виктор Валентинович [edt].

    Material type: Set Set Publication details: Томск Издательство НТЛ 2005Other title: Proceedings of the 1st Conference of Student Research and Development Incubator, Tomsk, 2005, February 15.Availability: No items available :
    26.
    Исследования температурной зависимости времени формирования инверсионного заряда в МДП-структурах с диэлектриком на основе легкоплавких стекол Л. Г. Лигай

    by Лигай, Л. Г.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    27.
    Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Semiconductor science and technologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    28.
    Electrical characterization of insulator-semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Sidorov, Georgiy Yu | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: VacuumMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    29.
    Electrophysical characteristics of the pentacene-based MIS structures with a SiO2 insulator V. A. Novikov, A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Kopylova, Tatyana N | Degtyarenko, Konstantin M | Chernikov, Evgeniy V | Kalygina, Vera M | Novikov, Vadim A.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    30.
    Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    31.
    Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe M. Pociask-Bialy, I. Izhnin, A. Voitsekhovskii [et.al.]

    by Pociask-Bialy, Malgorzata | Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Izhnin, Igor I.

    Source: EPJ Web of ConferencesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    32.
    Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells A. V. Voitsekhovskii, D. I. Gorn

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Advanced Materials ResearchMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    33.
    Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    34.
    Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices S. Dzyadukh, S. Nesmelov, A. Voytsekhovskiy, D. Gorn

    by Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    35.
    Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M.

    Source: Journal of physics and chemistry of solidsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    36.
    Comprehensive experimental study of NBνN barrier structures based on n-HgCdTe MBE for detection in MWIR and LWIR spectra A. V. Voytsekhovskii, S. M. Dzyadukh, D. I. Gorn [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Gorn, Dmitriy Igorevich | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V.

    Source: Physica scriptaMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    37.
    Автоматизированный комплекс для исследования электрических характеристик МДП-структур С. М. Дзядух, С. Н. Несмелов

    by Дзядух, Станислав Михайлович | Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    38.
    Физика полупроводниковых наноструктур Электронный ресурс учебно-методический комплекс C. И. Борисенко, Ю. В. Вячистая ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]

    by Борисенко, Сергей Иванович | Вячистая, Юлия Валерьевна | Томский государственный университет Институт дистанционного образования.

    Material type: Computer file Computer file; Format: electronic available online remote Publication details: Томск [ИДО ТГУ] 2011Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    39.
    Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Горн, Дмитрий Игоревич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    40.
    Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    41.
    Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    42.
    Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    43.
    Пороговые характеристики инфракрасных МДП-детекторов на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: VII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Threshold characteristics of MIS-photodetector based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on alternative substrates.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    44.
    Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов

    by Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    45.
    Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович.

    Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    46.
    Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    47.
    Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    48.
    Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    49.
    Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Кульчицкий, Николай Александрович.

    Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Admittance of MIS structures based on MBE Hg1-xCdxTe ( x = 0.22-0.23) in a wide temperature range.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    50.
    Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на емкостные и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального КРТ МЛЭ А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: XXII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22-25 мая 2012, Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :