Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2 В. А. Новиков, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов [и др.]
Material type:
ArticleSubject(s): органические полупроводники | пентацен | МДП-структуры | адмиттанс | эквивалентные схемы | инверсионные слои | электрофизические характеристикиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 62, № 1. С. 79-87Abstract: В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO2 и SiO2/Ga2O3. Вольт-фарадные характеристики МДП-структур с диэлектриком SiO2 практически не имеют гистерезиса. Показано, что при температурах 150–300 К в структурах формируется инверсионный слой при больших положительных смещениях. Концентрация дырок в пентацене, определенная из емкостных измерений, превышает 1018 см–3 и практически не зависит от температуры и частоты. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса МДП-структур с диэлектриком SiO2 хорошо согласуются с результатами расчета при помощи метода эквивалентных схем. Для структур со слоем Ga2O3 обнаружена отрицательная дифференциальная проводимость диэлектрика, что требует усложнения эквивалентной схемы. Показана возможность использования низкотемпературных измерений адмиттанса для исследования ловушек в объеме пленки пентацена.
Библиогр.: 38 назв.
Ограниченный доступ
В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO2 и SiO2/Ga2O3. Вольт-фарадные характеристики МДП-структур с диэлектриком SiO2 практически не имеют гистерезиса. Показано, что при температурах 150–300 К в структурах формируется инверсионный слой при больших положительных смещениях. Концентрация дырок в пентацене, определенная из емкостных измерений, превышает 1018 см–3 и практически не зависит от температуры и частоты. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса МДП-структур с диэлектриком SiO2 хорошо согласуются с результатами расчета при помощи метода эквивалентных схем. Для структур со слоем Ga2O3 обнаружена отрицательная дифференциальная проводимость диэлектрика, что требует усложнения эквивалентной схемы. Показана возможность использования низкотемпературных измерений адмиттанса для исследования ловушек в объеме пленки пентацена.
There are no comments on this title.