Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 350 results.

    51.
    Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells A. V. Voitsekhovskii, D. I. Gorn

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Advanced Materials ResearchMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    52.
    Differential conductance and capacity-voltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe D. I. Gorn, A. V. Voitsekhovskii, S. M. Dzyadukh, S. N. Nesmelov

    by Gorn, Dmitriy Igorevich | Dzyadukh, Stanislav M | Nesmelov, Sergey N | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: International Journal of NanotechnologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    53.
    Влияние условий зарождения пленок GaN на их полярность при молекулярно-лучевой эпитаксии Т. Х. Хамзин

    by Хамзин, Т. Х.

    Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    54.
    Influence of the compositional grading on concentration of majority charge carriers in near-surface layers of n(p)-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M.

    Source: Journal of electronic materialsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    55.
    Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films I. I. Izhnin, O. I. Fitsych, A. V. Voitsekhovskii [et.al.]

    by Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Mynbaev, Karim D | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Bonchyk, A. Yu | Fitsych, Olena I | Savytskyy, Hrygory V | Świątek, Zbigniew.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    56.
    Трансформация конуса дирака при нанесении металлического кобальта на топологический изолятор BiSbTeSe2 А. К. Кавеев, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко [и др.]

    by Голяшов, Владимир Андреевич | Терещенко, Олег Евгеньевич | Естюнин, Дмитрий Алексеевич | Еремеев, Сергей Владимирович | Кавеев, Андрей Камильевич.

    Source: Международная конференция "Физическая мезомеханика. Материалы с многоуровневой иерархически организованной структурой и интеллектуальные производственные технологии", посвященная 90-летию со дня рождения основателя и первого директора ИФПМ СО РАН академика Виктора Евгеньевича Панина в рамках Международного междисциплинарного симпозиума "Иерархические материалы: разработка и приложения для новых технологий и надежных конструкций", 5-9 октября 2020 года, Томск, Россия : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    57.
    Морфология поверхности эпитаксиальных слоев арсенида галия, выращенных на вициналях φ0(111)А и φ0(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии Л. Л. Девятьярова

    by Анисимова, Любовь Леонидовна.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    58.
    Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ А. И. Волков

    by Волков, А. И.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    59.
    Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин [и др.]

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Болховитянов, Юрий Борисович | Пчеляков, Олег Петрович | Феклин, Дмитрий Федорович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    60.
    Влияние структурных дефектов на распределение нестехиометрического мышьяка в НТ МЛЭ InGaAs И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, С. В. Субач [и др.]

    by Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Субач, Сергей Владимирович | Гутаковский, Антон Константинович | Преображенский, Валерий Владимирович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    61.
    TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells A. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek [et al.]

    by Bonchyk, A. Yu | Savytskyy, Hrygory V | Świątek, Zbigniew | Morgiel, Y | Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Mynbaev, Karim D | Fitsych, Olena I | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V.

    Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    62.
    Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование Ю. Ю. Эрвье, М. Ю. Есин, А. С. Дерябин [и др.]

    by Эрвье, Юрий Юрьевич | Есин, Михаил Юрьевич | Дерябин, Александр Сергеевич | Колесников, Алексей Викторович | Никифоров, Александр Иванович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Pairing of monoatomic steps on the Si(100) surface: experiment and modeling.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    63.
    Модель поверхностной сегрегации примеси при легировании в системах молекулярно-лучевой эпитаксии А. Д. Ишков

    by Ишков, Арман Дмитриевич.

    Source: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    64.
    Comprehensive experimental study of NBνN barrier structures based on n-HgCdTe MBE for detection in MWIR and LWIR spectra A. V. Voytsekhovskii, S. M. Dzyadukh, D. I. Gorn [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Gorn, Dmitriy Igorevich | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V.

    Source: Physica scriptaMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    65.
    Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    66.
    Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Г. В. Савицкий и др.

    by Ижнин, Игорь Иванович | Савицкий, Григорий Владимирович | Свентек, Збигнев | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Бончик, Александр Юрьевич | Фицич, Елена Ивановна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    67.
    Кинетика формирования квантовых точек германия на кремнии различной формы с учетом диффузии, сегрегации и влияния напряженных подслоев К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский

    by Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    68.
    Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Кульчицкий, Николай Александрович.

    Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Admittance of MIS structures based on MBE Hg1-xCdxTe ( x = 0.22-0.23) in a wide temperature range.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    69.
    Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Горн, Дмитрий Игоревич.

    Source: Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Properties of CdHgTe based nanostructures with quantum wells for photonics.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    70.
    Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    71.
    Влияние фонового излучения на фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок КРТ МЛЭ А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, М. Ф. Филатов, А. В. Григорук

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Филатов, Михаил Федорович | Григорук, А. В.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    72.
    Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    73.
    Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Concentration of majority charge carriers in the near-surface graded-gap layer of MBE n(p)-HgCdTe determined from capacitance measurement.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    74.
    Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой и др.

    by Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Пищагин, Антон Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    75.
    Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe И. И. Ижнин, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев [и др.]

    by Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Świątek, Zbigniew.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    76.
    Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов В. В. Дирко, К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. П. Коханенко

    by Дирко, Владимир Владиславович | Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    77.
    Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100) А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    78.
    Пороговые характеристики инфракрасных МДП-детекторов на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: VII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Threshold characteristics of MIS-photodetector based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on alternative substrates.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    79.
    Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Diffusion limitation of the dark current in nBn structures based on MBE HgCdTe.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    80.
    Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, А. В. Войцеховский и др.

    by Кульчицкий, Николай Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: X Международная научно-техническая конференция "Вакуумная техника, материалы и технология" (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля)Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    81.
    Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов

    by Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    82.
    Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин и др.

    by Горн, Дмитрий Игоревич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Гольдин, Виктор Данилович | Михайлов, Николай Николаевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Варавин, Василий Семенович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет НИИ прикладной математики и механики Научные подразделения НИИ ПММ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    83.
    Фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe А. В. Яцкий, К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский

    by Яцкий, А. В | Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Молодежная школа-конференция с международным участием "Лазеры и лазерные технологии ", посвященная 50-летию создания первого в мире лазера : труды школы-конференции, 22-27 ноября 2010 года, Россия, ТомскMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    84.
    Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Горн, Дмитрий Игоревич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    85.
    Экспериментальное исследование барьерных NBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Experimental study of NBvN barrier structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR photodetectors.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    86.
    Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    87.
    Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Романов, Илья Владимирович | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Григорьев, Денис Валерьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    88.
    Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    89.
    Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods A. G. Korotaev, A. A. Pishchagin, A. P. Kokhanenko, A. I. Nikiforov

    by Korotaev, Alexander G | Kokhanenko, Andrey P | Nikiforov, Alexander I | Pishchagin, Anton A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    90.
    Atomic relaxations at the (0001) surface of Bi2Se3 single crystals and ultrathin films S. Roy, H. L. Meyerheim, K. Mohseni [et.al.]

    by Roy, Sumalay | Mohseni, Katayoon | Ernst, Arthur | Otrokov, Mikhail M | Vergniory, M. G | Mussler, G | Kampmeier, J | Grützmacher, D | Tusche, C | Schneider, J | Chulkov, Evgueni V | Kirschner, Jürgen | Meyerheim, Holger L | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики металлов.

    Source: Physical Review BMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    91.
    Photoluminescence of HgCdTe nanostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs I. I. Izhnin, A. I. Izhnin, K. D. Mynbaev [et.al.]

    by Izhnin, A. I | Mynbaev, Karim D | Bazhenov, N. L | Shilyaev, A. V | Mikhailov, Nikolay N | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Fitsych, Olena I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Izhnin, Igor I | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    92.
    Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. А. Пищагин, В. Ю. Серохвостов

    by Пищагин, Антон Александрович | Серохвостов, Вячеслав Юрьевич.

    Source: Материалы 53-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2015, 11-17 апреля 2015 г. Квантовая физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    93.
    Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Grigoryev, Denis V | Lyapunov, D. V | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    94.
    Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Дирко, В. Ю. Серохвостов, А. А. Пищагин

    by Дирко, Владимир Владиславович | Серохвостов, Вячеслав Юрьевич | Пищагин, Антон Александрович.

    Source: Материалы 55-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2017, 17-20 апреля 2017 г. Квантовая физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    95.
    Optical and electrical studies of arsenic-implanted HgCdTe films grown with molecular beam epitaxy on GaAs and Si substrates I. I. Izhnin, A. V. Voytsekhovsky, A. G. Korotaev [et.al.]

    by Izhnin, Igor I | Korotaev, Alexander G | Fitsych, Olena I | Bonchyk, A. Yu | Savytskyy, Hrygory V | Mynbaev, Karim D | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Voytsekhovskiy, Alexander V | Yakushev, Maxim V | Jakiela, Rafal.

    Source: Infrared physics and technologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    96.
    Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii [et.al.]

    by Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Fitsych, Olena I | Pociask-Bialy, Malgorzata | Mynbaev, Karim D.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    97.
    Автоматизация управления испарителями в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии Н. Л. Орликов, Е. В. Карпов, И. А. Лапухин

    by Орликов, Николай Леонидович | Карпов, Евгений Владимирович | Лапухин, И. А.

    Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    98.
    Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge А. А. Пищагин

    by Пищагин, Антон Александрович.

    Source: Сборник тезисов участников форума "Наука будущего – наука молодых" : III Всероссийский научный форум, 12 сентября - 14 сентября 2017 года, г. Нижний НовгородMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    99.
    Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voytsekhovskii

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Physical chemistry chemical physicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    100.
    Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions V. A. Timofeev, A. P. Kokhanenko, A. I. Nikiforov [et.al.]

    by Timofeev, V. A | Nikiforov, Alexander I | Mashanov, Vladimir I | Tuktamyshev, Artur R | Loshkarev, Ivan D | Kokhanenko, Andrey P | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :