Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух
Material type:
ArticleOther title: Concentration of majority charge carriers in the near-surface graded-gap layer of MBE n(p)-HgCdTe determined from capacitance measurement [Parallel title]Subject(s): молекулярно-лучевая эпитаксия | варизонные слои | узкозонные полупроводники | инфракрасные детекторы | эпитаксиальные пленки | дырки в полупроводникахGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 12/2. С. 198-201Abstract: Определены значения концентраций основных носителей заряда в приповерхностных варизонных слоях полупроводника из измерений адмиттанса МДП-структур на основе n ( p )-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что для p- HgCdTe концентрация дырок в варизонном слое близка к интегральной концентрации, определенной методом Холла. Для n -HgCdTe концентрация электронов в варизонном слое возрастает при увеличении градиента состава в приповерхностном широкозонном слое, что может быть связано с генерацией собственных дефектов донорного типа.
Библиогр.: 6 назв.
Доступ в сети ТГУ
Определены значения концентраций основных носителей заряда в приповерхностных варизонных слоях полупроводника из измерений адмиттанса МДП-структур на основе n ( p )-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что для p- HgCdTe концентрация дырок в варизонном слое близка к интегральной концентрации, определенной методом Холла. Для n -HgCdTe концентрация электронов в варизонном слое возрастает при увеличении градиента состава в приповерхностном широкозонном слое, что может быть связано с генерацией собственных дефектов донорного типа.
There are no comments on this title.