Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
Material type:
ArticleSubject(s): МДП-структуры | молекулярно-лучевая эпитаксия | теллурид кадмия-ртути | варизонные слои | вольт-фарадные характеристикиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 4. С. 97-106Abstract: Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направления развертки напряжения. Выявлены особенности ВФХ при прямой и обратной развертке напряжения для МДП-структур на основе n-HgCdTe и p-HgCdTe. Полученные результаты свидетельствуют о важной роли в гистерезисных явлениях захвата электронов на состояния переходного слоя между полупроводником HgCdTe и диэлектриком SiO2. Установлено, что при нанесении диэлектрика вблизи границы раздела образуются примесно-дефектные центры донорного типа, плотность состояний которых в переходном слое составляет (0.6–2.1)·1011 см–2.
Библиогр.: 25 назв.
Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направления развертки напряжения. Выявлены особенности ВФХ при прямой и обратной развертке напряжения для МДП-структур на основе n-HgCdTe и p-HgCdTe. Полученные результаты свидетельствуют о важной роли в гистерезисных явлениях захвата электронов на состояния переходного слоя между полупроводником HgCdTe и диэлектриком SiO2. Установлено, что при нанесении диэлектрика вблизи границы раздела образуются примесно-дефектные центры донорного типа, плотность состояний которых в переходном слое составляет (0.6–2.1)·1011 см–2.
There are no comments on this title.