Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 93 results.

    1.
    2.
    Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок Ч. 2 [сборник статей] Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Л. Н. Александров

    by Александров, Леонид Наумович [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Новосибирск Наука, Сибирское отделение 1977Availability: No items available :
    3.
    Доклады юбилейной научно-технической конференции Радиофизического факультета Ч. 1 Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, СФТИ им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Вилисов А. И. ]

    by Томский государственный университет Радиофизический факультет Юбилейная научно-техническая конференция 1973 Томск | Вилисов, Анатолий Александрович [edt].

    Material type: Set Set Publication details: Томск Издательство Томского государственного университета 1973Other title: Секция физики полупроводников и диэлектриков.Availability: No items available :
    4.
    Материаловедение полупроводников и диэлектриков [учебник для вузов по специальности "Физика и технология материалов и компонентов электронной техники"] С. С. Горелик, М. Я. Дашевский

    by Горелик, Семен Самуилович | Дашевский, Михаил Яковлевич.

    Edition: 2-е изд., перераб. и доп.Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Москва МИСИС 2003Availability: No items available :
    5.
    Материаловедение полупроводников и диэлектриков [учебник для вузов по специальности "Физика и технология материалов и компонентов электронной техники"] С. С. Горелик, М. Я. Дашевский

    by Горелик, Семен Самуилович | Дашевский, Михаил Яковлевич.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Москва Металлургия 1988Availability: No items available :
    6.
    Электрооборудование кристаллизационных установок Н. М. Черкасов

    by Черкасов, Николай Михайлович.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Москва Металлургия 1975Availability: No items available :
    7.
    Гетероструктура ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Атакова М. М. ; науч. рук. Рамазанов П. Е. ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Атакова, М. М | Рамазанов, Павел Ефимович, 1923-1990 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1974Availability: No items available :
    8.
    Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок Ч. 1 [сборник статей] Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов

    by Кузнецов, Федор Андреевич, 1932-2014 [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Новосибирск Наука, Сибирское отделение 1977Availability: No items available :
    9.
    10.
    Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов Учебник для вузов по специальности "Технология специальных материалов электронной техники" В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов

    by Крапухин, Всеволод Валерьевич | Соколов, Игорь Александрович | Кузнецов, Геннадий Дмитриевич.

    Material type: Text Text; Format: print Publication details: М. Металлургия 1982Availability: No items available :
    11.
    Локальный электрохимический анализ В. В. Слепушкин, Ю. В. Рублинецкая

    by Слепушкин, Вячеслав Васильевич | Рублинецкая, Юлия Вячеславовна.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Москва Физматлит 2010Availability: No items available :
    12.
    Атомная структура полупроводниковых систем [А. Л. Асеев, Ю. Д. Ваулин, С. И. Стенин и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

    by Асеев, Александр Леонидович, 1946- | Ваулин, Юрий Дмитриевич | Стенин, Сергей Иванович, 1940-1990 | Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск).

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian, English Publication details: Новосибирск Изд-во Сиб. отд-ния РАН 2006Availability: No items available :
    13.
    14.
    Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер; Отв. ред. И. Л. Шульпина

    by Боуэн, Д. К | Таннер, Б. К | Шульпина, И. Л [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: СПб. Наука 2002Other title: High Resolution X-Ray Diffractometry and Topography.Availability: No items available :
    15.
    Исследование дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами монография А. О. Окунев, В. А. Ткаль, Л. Н. Данильчук ; Федер. агентство по образованию, Новгор. гос. ун-т им. Ярослава Мудрого

    by Окунев, Алексей Олегович | Ткаль, Валерий Алексеевич | Данильчук, Леонид Нестерович.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Великий Новгород НовГУ 2006Availability: No items available :
    16.
    Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем (научно-технологические проблемы и аспекты развития) А. С. Комаров, Д. В. Крапухин, Е. И. Шульгин ; под ред. П. П. Мальцева ; Рос. акад. наук, Ин-т сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской акад. наук

    by Комаров, Александр Сергеевич | Крапухин, Александр Сергеевич | Шульгин, Евгений Иванович | Мальцев, Петр Павлович [edt].

    Series: Мир радиоэлектроникиMaterial type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Москва Техносфера 2014Availability: No items available :
    17.
    18.
    Физика твердого тела материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г. Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Том. гос. ун-т ; под ред. М. Ф. Жоровкова, Ю. Ю. Эрвье

    by Жоровков, Михаил Филиппович [edt] | Эрвье, Юрий Юрьевич [edt] | Российская научная студенческая конференция Томск. 2002 9 | Томский государственный университет.

    Material type: Set Set Publication details: Томск ИФПМ СО РАН 2004Availability: No items available :
    19.
    Кинетические эффекты в молекулярных и твердотельных системах во внешних полях [сборник статей] Акад. наук Молд. ССР, Ин-т прикл. физики ; [редкол.: В. А. Коварский (отв. ред.) и др.]

    by Коварский, Виктор Анатольевич, 1929-2000 [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Кишинев Штиинца 1990Availability: No items available :
    20.
    МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники Р. Х. Акчурин, А. А. Мармалюк

    by Акчурин, Рауф Хамзинович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970-.

    Series: Мир материалов и технологийMaterial type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Москва Техносфера 2018Availability: No items available :
    21.
    Исследование микронеоднородностей в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук В. Д. Окунев ; науч. рук. В. А. Гаман ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева

    by Окунев, В. Д | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1972Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    22.
    Технология получения и электрические свойства соединений А3В5 материалы всесоюзной конференции Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина ; [отв. ред. Ю. И. Уханов]

    by Уханов, Юлий Иванович [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Ленинград [б. и.] 1981Availability: No items available :
    23.
    24.
    Арсенид галлия (Сборник статей) Сиб. физ. -техн. науч. -исслед. ин-т им. В. Д. Кузнецова; Отв. ред. М. А. Кривов и др.

    by Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 [отв. ред.] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательство Томского университета 1968Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    25.
    Интегральные схемы материалы, приборы, изготовление У. Тилл, Дж. Лаксон ; пер. с англ. М. Б. Левина, В. Г. Микуцкого под ред. М. В. Гальперина

    by Тилл, Уильям | Лаксон, Джеймс.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Original language: English Publication details: Москва Мир 1985Other title: Integrated circuits: materials, devices, and fabrication.Availability: No items available :
    26.
    Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, г. Томск, 21-23 сентября 1982 г. тезисы докладов Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Гаман В. И.]

    by Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия 5 1982 Томск | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 [edt] | Томский государственный университет.

    Material type: Set Set Publication details: Томск [б. и.] 1982Other title: Арсенид галлия.Availability: No items available :
    27.
    Токонесущие ленты второго поколения на основе высокотемпературных сверхпроводников [Поль Н. Арендт, Амит Гоял, К. Фуджино и др.] ; под ред. Амита Гояла ; пер. с англ. В. А. Амеличева [и др.] ; ред. пер. А. Р. Кауль

    by Гоял, Амит | Арендт, Поль Н | Фуджино, К.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Москва ЛКИ 2009Other title: Second-Generation HTS Conductors.Availability: No items available :
    28.
    Исследование кинетики роста и легирования эпитаксиального арсенида галлия в газотранспортной системе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Пороховниченко Лидия Петровна ; науч. рук. Л. Г. Лаврентьева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова, Том. гос. ун-т. им. В. В. Куйбышева

    by Пороховниченко, Лидия Петровна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 [ths] | Томский государственный университет | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1978Availability: No items available :
    29.
    30.
    Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) материалы конференции Том. гос. ун-т,

    by "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", конференция 9 2006 Томск.

    Material type: Set Set; Format: electronic available online remote Publication details: Томск [Том. гос. ун-т] 2006Other title: Ninth conference "Gallium arsenide and III-V group related compounds". 3-5 October, 2006, Tomsk, Russia. "GaAs - 2006".Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    31.
    Рентгеновская дифракционная топография дефектов в кристалах на основе эффекта Бормана Л. Н. Данильчук, А. О. Окунев, В. А. Ткаль ; Новгородский гос. ун-т им. Ярослава Мудрого

    by Данильчук, Леонид Нестерович | Окунев, Алексей Олегович | Ткаль, Валерий Алексеевич.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Великий Новгород [б. и.] 2006Availability: No items available :
    32.
    Морфология поверхности эпитаксиальных слоев арсенида галия, выращенных на вициналях φ0(111)А и φ0(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии Л. Л. Девятьярова

    by Анисимова, Любовь Леонидовна.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    33.
    Спектральное распределение фотопроводимости в GaAs в условиях реализации метастабильности EL-2-центров Ф. С. Габибов

    by Габибов, Фазил Сейфулаевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    34.
    Ir reflection spektra of multilayered epitaxial heterostructures with embedded nanolayers GaAs and InAs E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. N. Lukin [et.al.]

    by Domashevskaya, E. P | Seredin, P. V | Lukin, A. N.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    35.
    Адмитанс структур арсенид индия-диэлектрик-окисел индия Н. А. Валишева, А. А. Гузев, Г. Л. Курышев и др.

    by Валишева, Наталья Александровна | Гузев, Александр Александрович | Курышев, Георгий Леонидович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    36.
    Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях сверхчистого GaAs методом фотоотражения О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев, Л. М. Федоров

    by Комков, О. С | Пихтин, Александр Николаевич | Жиляев, Юрий Васильевич | Федоров, Леонид Михайлович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    37.
    Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers E. Verbitskaya, T. J. Bowles, V. Eremin [et.al.]

    by Verbitskaya, E | Bowles, T. J | Eremin, V. K.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    38.
    Эпитаксиальные слои GaAs и твердые растворы на его основе, получаемые методом MOCVD В. Н. Вертопрахов, В. С. Данилович

    by Вертопрахов, Владимир Никифорович | Данилович, В. С.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    39.
    Свойства оптических волноводов на основе кристаллов со структурой силленита М. В. Бородин, М. Н. Фролова, Ю. Р. Саликаев [и др.]

    by Бородин, Максим Викторович | Фролова, Марина Николаевна | Саликаев, Юрий Рафаэльевич | Егорышева, Анна Владимировна | Волков, Вячеслав Владимирович.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    40.
    Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, Е. П. Другова и др.

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гермогенов, Валерий Петрович | Другова, Е. П | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Пономарев, Иван Викторович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Толбанов, Олег Петрович | Чубирко, Валентина Анатольевна.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    41.
    Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении В. Г. Средин, М. В. Сахаров, А. В. Войцеховский

    by Средин, Виктор Геннадиевич | Сахаров, Михаил Викторович | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    42.
    Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии А. В. Попова

    by Попова, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    43.
    Образование фазовых и структурно-примесных неоднородностей при газофазовой эпитаксии соединений AɪɪɪBv И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева

    by Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    44.
    История организации и становления научного направления по физике полупроводников в Томском университете и Сибирском физко-техническом институте А. П. Вяткин, М. А. Кривов, Л. Г. Лаврентьева

    by Вяткин, Анатолий Петрович | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    45.
    Исследование оптических и фотоэлектрических свойств детекторных структур на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs М. А. Беспальков, И. В. Пономарев, О. Г. Шмаков

    by Беспальков, М. А | Пономарев, Иван Викторович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    46.
    Investigation of the persistence conductivity and photoelectric characteristics in detectors with interdigital electrodes based on β-Ga2O3 V. M. Kalygina, A. V. Tsymbalov, A. V. Almaev [et al.]

    by Kalygina, Vera M | Tsymbalov, Alexander V | Almaev, Aleksei V | Petrova, Julianna S | Podzyvalov, Sergey N.

    Source: Physica status solidiMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    47.
    Исследование электронно-дырочных переходов и структур в эпитаксиальном арсениде галлия, выращенном из газовой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук М. Д. Вилисова ; науч. рук. Л. Г. Лаврентьева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1972Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    48.
    Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, М. А. Путято, В. В. Преображенский [и др.]

    by Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Торопов, Сергей Евгеньевич | Чалдышев, Владимир Викторович | Куницын, Александр Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    49.
    Генерация поверхностных дефектов в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др.

    by Средин, Виктор Геннадиевич | Ананьин, Олег Борисович | Ижнин, Игорь Иванович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    50.
    Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Юрчак, Валерий Аркадьевич | Средин, Виктор Геннадиевич.

    Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: The investigation of defect formation in epitaxial layers of n-CdxHg1-xTe by soft X-ray radiation.Online access: Click here to access online Availability: No items available :