Normal view
MARC view
Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии А. В. Попова
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | арсенид галлия | полупроводниковые приборы | молекулярно-пучковая эпитаксия | эпитаксиальные слои | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 211-213No physical items for this record
Библиогр.: 7 назв.
There are no comments on this title.