Normal view
MARC view
Эпитаксиальные слои GaAs и твердые растворы на его основе, получаемые методом MOCVD В. Н. Вертопрахов, В. С. Данилович
Material type: ArticleSubject(s): арсенид галлия | полупроводниковое материалы | эпитаксиальные слои | твердые растворы In: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 65-67No physical items for this record
Библиогр.: 35 назв.
There are no comments on this title.