Normal view
MARC view
Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях сверхчистого GaAs методом фотоотражения О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев, Л. М. Федоров
Material type:
ArticleSubject(s): эпитаксиальные слои | арсенид галлия | фотоотражение
In:
Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 235-237
No physical items for this record
Библиогр.: 2 назв.
There are no comments on this title.