Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 405 results.

    1.
    Исследование микронеоднородностей в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук В. Д. Окунев ; науч. рук. В. А. Гаман ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева

    by Окунев, В. Д | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1972Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    3.
    Исследования оптических и фотоэлектрических свойств арсенида галлия, облученного электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05 Будницкий Давыд Львович ; науч. рук. Кривов М. А. ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Будницкий, Давыд Львович | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1986Availability: No items available :
    4.
    Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующем нелегированном GaAs К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук

    by Глинчук, Константин Давыдович | Литовченко, Н. М | Прохорович, А. В | Стрильчук, О. Н.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Роль нестехиометрии в установлении содержания остаточного углерода в арсениде галлия В. В. Резвицкий, Г. Н. Семенова, Л. Г. Шепель, А. Хрубан

    by Резвицкий, В. В | Семенова, Г. Н | Шепель, Л. Г | Хрубан, А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Физические основы люминесцентной метрологии содержания мелких акцепторов и доноров в соединениях A3B5 К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук

    by Глинчук, Константин Давыдович | Литовченко, Н. М | Прохорович, А. В | Стрильчук, О. Н.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Частотная зависимость поверхностной проводимости полуизолирующего арсенида галлия Ю. В. Лисюк, А. А. Скрыльников

    by Лисюк, Ю. В | Скрыльников, Александр Аркадьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Исследование методом электронной Оже-спектроскопии физико-химических взаимодействий в структурах металл-арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Пирогов Виктор Алексеевич ; науч. рук. А. Н. Диденко ; Том. политехн. ин-т им. С. М. Кирова, НИИ ядерной физики

    by Пирогов, Виктор Алексеевич | Диденко, Андрей Николаевич, 1932- [ths] | Томский политехнический институт им. С. М. Кирова НИИ ядерной физики.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1986Availability: No items available :
    9.
    Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин ; науч. ред. И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote festschrift ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательство Томского государственного университета 2022Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Монокристаллы арсенида галлия, выращенные методом VGF: особенности структуры и свойств А. В. Марков

    by Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Enginering As nano-clusters in GaAs V. V. Chaldyshev

    by Chaldyshev, Vladimir V.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Получение монокристаллов высокочистого полуизолирующего арсенида галлия методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава А. В. Марков

    by Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    13.
    Поглощение ИК-излучения в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, О. П. Толбанов

    by Будницкий, Давыд Львович | Новиков, Вадим Александрович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    14.
    Growth and characterization of bulk solution grown GaAs crystal A. V. Markov, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov [et.al.]

    by Markov, A. V | Polyakov, A. Y | Smirnov, N. B.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    15.
    Перспективные разработки ОАО "НИИПП" на базе арсенидогаллиевой технологии В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. А. Пономарев, Э. Ф. Яук

    by Божков, Владимир Григорьевич | Монастырев, Е. А | Пономарев, А. А | Яук, Э. Ф.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    Структурно-фазовые превращения поверхности GaAs(100) в процессе обработки в парах селена Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Ю. В. Смирнов и др.

    by Безрядин, Николай Николаевич | Домашевская, Эвелина Павловна | Смирнов, Ю. В.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    17.
    The peculiarities of halogens adsorption on A3B5(001) surface A. V. Bakulin, S. E. Kulkova, O. E. Tereshchenko [et.al.]

    by Bakulin, Alexander V | Tereshchenko, Oleg E | Shaposhnikov, Anton A | Smolin, Igor Yu | Kulkova, Svetlana E.

    Source: IOP Conference Series: Materials Science and EngineeringMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Шумовые и радиационные свойства датчиков магнитного поля на основе арсенида галлия Г. Ф. Карлова, А. В. Градобоев

    by Карлова, Гелия Федоровна | Градобоев, Александр Васильевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    19.
    Исследование детекторных структур на основе полуизолирующего арсенида галлия Г. И. Айзенштат, О. Б. Корецкая, Л. С. Окаевич [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Корецкая, Ольга Борисовна | Окаевич, Людмила Стефановна | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    20.
    Электрофизические и детекторные свойства арсенида галлия, выращенного из раствора-расплава Ю. П. Козлова, Е. П. Веретенкин, В. Н. Гаврин и др.

    by Козлова, Юлия Павловна | Веретенкин, Е. П | Гаврин, В. Н.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    21.
    Исследование структуры собственного окисла на поверхности GaAs FTIR-методом Е. Л. Еремина, В. П. Бабак, С. В. Смирнов

    by Еремина, Е. Л | Бабак, В. П | Смирнов, Серафим Всеволодович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    22.
    Characterization of photon counting pixel detectors based on semi-insulating GaAs sensor material E. Hamann, A. Cecilia, A. Zwerger [et.al.]

    by Cecilia, A | Zwerger, A | Fauler, A | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Shelkov, G | Graafsma, H | Baumbach, T | Fiederle, M | Hamann, E | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    23.
    Основные антиструктурные дефекты в GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин

    by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    24.
    Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures V. Kalygina, V. Gaman, I. Prudaev, O. Tolbanov

    by Kalygina, Vera M | Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Gaman, V. I.

    Source: International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015), 3-6, November 2015, Kyoto University, Kyoto, JapanMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    25.
    Investigation of the radiation hardness of GaAs sensors in an electron beam K. Afanaciev, M. Bergholz, D. Mokeev [et.al.]

    by Bergholz, M | Mokeev, D | Novikov, Vladimir A | Bernitt, P | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Afanaciev, K | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    26.
    Синтез тонких оксидных слоев на поверхности GaAs термооксидированием в присутствии композиций Sb2O3+V2O5 В. Ф. Кострюков, И. Я. Миттова

    by Кострюков, Виктор Федорович | Миттова, Ирина Яковлевна.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    27.
    Statistical regularities of the dislocation structure formation in GaAs crystals grown by the LEC method V. A. Antonov, N. V. Goncharova, G. F. Kamenskaya [et.al.]

    by Antonov, V. A | Goncharova, N. V | Kamenskaya, G. F.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    28.
    Measurement of the energy resolution and calibration of hybrid pixel detectors with GaAs:Cr sensor and Timepix readout chip A. Butler, P. Butler, S. Bell [et.al.]

    by Butler, A | Bell, Steven J | Chelkov, G. A | Dedovich, D. V | Demichev, M. A | Elkin, V. G | Gostkin, M. I | Kotov, S. A | Kozhevnikov, D. A | Kruchonak, U. G | Butler, P | Nozdrin, A. A | Porokhovoy, S. Yu | Potrap, I. N | Smolyanskiy, P. I | Zakhvatkin, M. M | Zhemchugov, A. S | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Physics of particles and nuclei lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    29.
    Investigation of GaAs:Cr Timepix assemblies under high flux irradiation E. Hamann, T. Koenig, M. Zuber [et.al.]

    by Hamann, E | Zuber, M | Cecilia, A | Tyazhev, Anton V | Tolbanov, Oleg P | Procz, S | Fauler, A | Fiederle, M | Baumbach, T | Koenig, T.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    30.
    Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе М. В. Ардышев, И. А. Прудаев

    by Ардышев, Михаил Вячеславович | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    31.
    Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях сверхчистого GaAs методом фотоотражения О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев, Л. М. Федоров

    by Комков, О. С | Пихтин, Александр Николаевич | Жиляев, Юрий Васильевич | Федоров, Леонид Михайлович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    32.
    33.
    Transient processes in the GaAs-based microwave-pin-diodes G. I. Ayzenshtat, A. Y. Yushchenko, V. G. Bozhkov

    by Ayzenshtat, G. I | Yushchenko, A. Yu | Bozhkov, V. G.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    34.
    Performance of a Medipix3RX spectroscopic pixel detector with a high resistivity gallium arsenide sensor E. Hamann, T. Koenig, M. Zuber [et.al.]

    by Hamann, E | Zuber, M | Cecilia, A | Tyazhev, Anton V | Tolbanov, Oleg P | Procz, S | Fauler, A | Baumbach, T | Fiederle, M | Koenig, T | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: IEEE transactions on medical imagingMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    35.
    GaAs маска для нанолитографии В. Я. Принц, В. А. Селезнев, А. В. Принц

    by Принц, Виктор Яковлевич | Селезнев, Владимир Александрович | Принц, Александр Викторович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    36.
    О практическом применении арсенида галлия, легированного переходными металлами С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    37.
    Dependence of X-ray sensitivity of GaAs:Cr sensors on material of contacts A. D. Lozinskaya, V. A. Novikov, O. P. Tolbanov [et.al.]

    by Lozinskaya, Anastassiya D | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Yaskevich, T. M | Zarubin, Andrei N | Novikov, Vladimir A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    38.
    Арсенид галлия - как материал для микромеханики В. И. Юрченко

    by Юрченко, Василий Иванович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    39.
    Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs И. А. Прудаев, С. С. Хлудков, А. К. Гутаковский и др.

    by Хлудков, Станислав Степанович | Гутаковский, Антон Константинович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Неорганические материалыMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    40.
    Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers D. Budnitsky, V. Novikov, A. Lozinskaya [et.al.]

    by Budnitsky, D. L | Lozinskaya, Anastassiya D | Kolesnikova, Irina I | Zarubin, Andrei N | Shemeryankina, A | Mikhailov, T | Skakunov, M. S | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Novikov, Vladimir A.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    41.
    Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content M. A. Pankov, B. A. Aronzon, V.V. Rylkov [et.al.]

    by Aronzon, B. A | Rylkov, V. V | Davydov, A. B | Tugushev, V. V | Caprara, S | Likhachev, I. A | Pashaev, E. M | Chuev, M. A | Lahderanta, E | Vedeneev, A. S | Bugaev, A. S | Pankov, M. A | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: The European physical journal BMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    42.
    Ab-initio study of new Ga-rich GaAs(001) surface (4 × 4) reconstruction A. V. Bakulin, S. E. Kulkova, S. V. Eremeev, O. E. Tereshchenko

    by Kulkova, Svetlana E | Eremeev, Sergey V | Tereshchenko, Oleg E | Bakulin, Alexander V | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра теоретической физики | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: Surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    43.
    Development of GaAs epitaxy-from bulk growth to ultra-tgin film growth for nano-structure devices Jun-ichi Nishizawa, Toru Kurabayashi

    by Nishizawa, Jun-ichi | Kurabayashi, Toru.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    44.
    Особенности некоторых физических свойств GaAs при концентрации 10¹⁸ смˉ³. Возможное влияние АСД GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин

    by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    45.
    GaAs лавинный s-диод с управляющим электродом И. А. Прудаев, М. С. Скакунов, О. П. Толбанов

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    46.
    Частотная зависимость выходного сигнала в детекторах из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, Т. В. Медведева, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Лелеков, Михаил Александрович | Медведева, Т. В | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    47.
    Методы измерения подвижности носителей заряда в структурах на основе высокоомного арсенида галлия с глубокими центрами И. Д. Щербаков, А. Н. Зарубин, М. С. Скакунов [и др.]

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Зарубин, Андрей Николаевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Трофимов, Михаил Сергеевич | Тяжев, Антон Владимирович | Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Шемерянкина, Анастасия Владимировна.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    48.
    Электрические свойства GaAs, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, В. А. Новиков и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Новиков, Вадим Александрович | Будницкий, Давыд Львович | Лопатецкая, Ксения Сергеевна | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    49.
    Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа

    by "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", конференция 8 2002 Томск | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Том. гос. ун-т 2002Availability: No items available :
    50.
    Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs Д. Л. Будницкий

    by Будницкий, Давыд Львович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :