Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин ; науч. ред. И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т
Material type:
TextPublication details: Томск Издательство Томского государственного университета 2022Description: 246 с. ил., таблContent type: Текст Media type: разные средства доступа ISBN: 9785907572058Subject(s): арсенид галлия | полупроводниковые материалы | диффузия в полупроводниках | арсенид галлия, диффузия примесей | арсенид галлия, диффузия точечных дефектов | точечные дефекты арсенида галлия, диффузия | примеси донорные арсенида галлия, диффузия | примеси акцепторные арсенида галлия, диффузия | арсенид галлия, образование дислокаций | диффузионные слои арсенида галлия, легированные примесями | химические элементы примесные | точечные дефекты собственные, самодиффузия | арсенид галлия нелегированный, электрофизические характеристики | арсенид галлия дырочный, диффузия примесей | n-слои арсенида галлия дырочного | p-n слои арсенида галлия дырочного | арсенид галлия, гетероструктуры приповерхностные | арсенид галлия, диффузия примесей переходных металлов | арсенид галлия, π-v-n структуры | арсенид галлия, высокоомные диффузионные слои | арсенид галлия, дислокации генерируемые | арсенид галлия, ферромагнитные включенияGenre/Form: монографии Online resources: Click here to access online Abstract: В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубокими энергетическими уровнями, образованию дислокаций в процессе диффузии примесей. Обсуждены механизмы диффузионных процессов. Для широкого круга специалистов – научных сотрудников, инженеров, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых материалов и микроэлектроники.
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается по месту хранения | Читальный зал 5 | 621.3 Д503 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820001048483 | |
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-058789 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820001048481 | |
| 1 месяц | Книгохранилище | 2-058790 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820001048482 |
Посвящается 70-летию радиофизического факультета Томского государственного университета
Библиогр. в конце глав
В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубокими энергетическими уровнями, образованию дислокаций в процессе диффузии примесей. Обсуждены механизмы диффузионных процессов. Для широкого круга специалистов – научных сотрудников, инженеров, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых материалов и микроэлектроники.
There are no comments on this title.