|
|
1.
|
Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях сверхчистого GaAs методом фотоотражения О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев, Л. М. Федоров by Комков, О. С | Пихтин, Александр Николаевич | Жиляев, Юрий Васильевич | Федоров, Леонид Михайлович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type:  Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
2.
|
|
|
|
3.
|
|
|
|
4.
|
|
|
|
5.
|
Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, Е. П. Другова и др. by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гермогенов, Валерий Петрович | Другова, Е. П | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Пономарев, Иван Викторович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Толбанов, Олег Петрович | Чубирко, Валентина Анатольевна. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
6.
|
Детекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs Г. И. Айзенштат, С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко [и др.] by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гущин, Сергей Михайлович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Хан, А. В. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
7.
|
|
|
|
8.
|
|
|
|
9.
|
|
|
|
10.
|
|
|
|
11.
|
|
|
|
12.
|
|
|
|
13.
|
|
|
|
14.
|
|
|
|
15.
|
|
|
|
16.
|
|
|
|
17.
|
|
|
|
18.
|
|
|
|
19.
|
|
|
|
20.
|
Влияние температуры роста, сорта молекул Asx(x=2, 4) и отношения потоков As/Ga на структуру ростовых поверхностей слоев LTG-GaAs Л. Л. Анисимова, В. А. Бурмистрова, И. В. Ивонин [и др.] by Анисимова, Любовь Леонидовна | Бурмистрова, В. А | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Новиков, Вадим Александрович | Шилова, Т. А | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
21.
|
Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре Л. Л. Девятьярова, И. В. Ивонин, А. В. Панин [и др.] by Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Панин, Алексей Викторович | Субач, Сергей Владимирович | Хруль, М. В | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
22.
|
|
|
|
23.
|
Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, М. А. Путято, В. В. Преображенский [и др.] by Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Торопов, Сергей Евгеньевич | Чалдышев, Владимир Викторович | Куницын, Александр Евгеньевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
24.
|
|
|
|
25.
|
|
|
|
26.
|
|
|
|
27.
|
|
|
|
28.
|
Атомная структура полупроводниковых систем [А. Л. Асеев, Ю. Д. Ваулин, С. И. Стенин и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников by Асеев, Александр Леонидович, 1946- | Ваулин, Юрий Дмитриевич | Стенин, Сергей Иванович, 1940-1990 | Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск). Material type:  Text; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Language: Russian, English Publication details: Новосибирск Изд-во Сиб. отд-ния РАН 2006Availability: No items available :
|
|
|
29.
|
|
|
|
30.
|
|
|
|
31.
|
|
|
|
32.
|
|
