|
1.
|
|
|
2.
|
|
|
3.
|
|
|
4.
|
Роль нестехиометрии в установлении содержания остаточного углерода в арсениде галлия В. В. Резвицкий, Г. Н. Семенова, Л. Г. Шепель, А. Хрубан by Резвицкий, В. В | Семенова, Г. Н | Шепель, Л. Г | Хрубан, А. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
5.
|
Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующем нелегированном GaAs К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук by Глинчук, Константин Давыдович | Литовченко, Н. М | Прохорович, А. В | Стрильчук, О. Н. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
6.
|
|
|
7.
|
|
|
8.
|
|
|
9.
|
|
|
10.
|
|
|
11.
|
|
|
12.
|
|
|
13.
|
Characterization of photon counting pixel detectors based on semi-insulating GaAs sensor material E. Hamann, A. Cecilia, A. Zwerger [et.al.] by Cecilia, A | Zwerger, A | Fauler, A | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Shelkov, G | Graafsma, H | Baumbach, T | Fiederle, M | Hamann, E | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
14.
|
Основные антиструктурные дефекты в GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
15.
|
|
|
16.
|
|
|
17.
|
Enginering As nano-clusters in GaAs V. V. Chaldyshev by Chaldyshev, Vladimir V. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
18.
|
|
|
19.
|
Перспективные разработки ОАО "НИИПП" на базе арсенидогаллиевой технологии В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. А. Пономарев, Э. Ф. Яук by Божков, Владимир Григорьевич | Монастырев, Е. А | Пономарев, А. А | Яук, Э. Ф. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
20.
|
|
|
21.
|
|
|
22.
|
|
|
23.
|
Арсенид галлия - как материал для микромеханики В. И. Юрченко by Юрченко, Василий Иванович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
24.
|
Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs И. А. Прудаев, С. С. Хлудков, А. К. Гутаковский и др. by Хлудков, Станислав Степанович | Гутаковский, Антон Константинович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Неорганические материалыMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
25.
|
|
|
26.
|
|
|
27.
|
Исследование детекторных структур на основе полуизолирующего арсенида галлия Г. И. Айзенштат, О. Б. Корецкая, Л. С. Окаевич [и др.] by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Корецкая, Ольга Борисовна | Окаевич, Людмила Стефановна | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
28.
|
Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures V. Kalygina, V. Gaman, I. Prudaev, O. Tolbanov by Kalygina, Vera M | Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Gaman, V. I. Source: International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015), 3-6, November 2015, Kyoto University, Kyoto, JapanMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
29.
|
|
|
30.
|
|
|
31.
|
|
|
32.
|
Measurement of the energy resolution and calibration of hybrid pixel detectors with GaAs:Cr sensor and Timepix readout chip A. Butler, P. Butler, S. Bell [et.al.] by Butler, A | Bell, Steven J | Chelkov, G. A | Dedovich, D. V | Demichev, M. A | Elkin, V. G | Gostkin, M. I | Kotov, S. A | Kozhevnikov, D. A | Kruchonak, U. G | Butler, P | Nozdrin, A. A | Porokhovoy, S. Yu | Potrap, I. N | Smolyanskiy, P. I | Zakhvatkin, M. M | Zhemchugov, A. S | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ. Source: Physics of particles and nuclei lettersMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
33.
|
Investigation of GaAs:Cr Timepix assemblies under high flux irradiation E. Hamann, T. Koenig, M. Zuber [et.al.] by Hamann, E | Zuber, M | Cecilia, A | Tyazhev, Anton V | Tolbanov, Oleg P | Procz, S | Fauler, A | Fiederle, M | Baumbach, T | Koenig, T. Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
34.
|
Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе М. В. Ардышев, И. А. Прудаев by Ардышев, Михаил Вячеславович | Прудаев, Илья Анатольевич. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
35.
|
Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях сверхчистого GaAs методом фотоотражения О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев, Л. М. Федоров by Комков, О. С | Пихтин, Александр Николаевич | Жиляев, Юрий Васильевич | Федоров, Леонид Михайлович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
36.
|
|
|
37.
|
|
|
38.
|
|
|
39.
|
|
|
40.
|
|
|
41.
|
Performance of a Medipix3RX spectroscopic pixel detector with a high resistivity gallium arsenide sensor E. Hamann, T. Koenig, M. Zuber [et.al.] by Hamann, E | Zuber, M | Cecilia, A | Tyazhev, Anton V | Tolbanov, Oleg P | Procz, S | Fauler, A | Baumbach, T | Fiederle, M | Koenig, T | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ. Source: IEEE transactions on medical imagingMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
42.
|
GaAs маска для нанолитографии В. Я. Принц, В. А. Селезнев, А. В. Принц by Принц, Виктор Яковлевич | Селезнев, Владимир Александрович | Принц, Александр Викторович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
43.
|
|
|
44.
|
Characterization of 4 inch GaAs:Cr wafers D. Budnitsky, V. Novikov, A. Lozinskaya [et.al.] by Budnitsky, D. L | Lozinskaya, Anastassiya D | Kolesnikova, Irina I | Zarubin, Andrei N | Shemeryankina, A | Mikhailov, T | Skakunov, M. S | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Novikov, Vladimir A. Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
45.
|
|
|
46.
|
Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content M. A. Pankov, B. A. Aronzon, V.V. Rylkov [et.al.] by Aronzon, B. A | Rylkov, V. V | Davydov, A. B | Tugushev, V. V | Caprara, S | Likhachev, I. A | Pashaev, E. M | Chuev, M. A | Lahderanta, E | Vedeneev, A. S | Bugaev, A. S | Pankov, M. A | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ. Source: The European physical journal BMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
47.
|
|
|
48.
|
|
|
49.
|
|
|
50.
|
|