Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 305 results.

    201.
    Электронные свойства структур на основе GaAs, компенсированного глубокими центрами О. П. Толбанов

    by Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    202.
    Радиационная стойкость мощных излучающих диодов А. А. Вилисов, Г. Н. Захарова

    by Вилисов, Анатолий Александрович | Захарова, Г. Н.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    203.
    Исследование влияния высоких давлений на электрические свойства пятикомпонентных халькогенидов серебра AgGeAsS3xSe3(1-x) С. А. Чусов

    by Шабашова, Ольга Александровна.

    Source: Физика и химия высокоэнергетических систем : сборник материалов I Всероссийской конференции молодых ученых, 26-29 апреля 2005 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    204.
    Сбор заряда в координатных детекторах рентгеновского излучения на основе полуизолирующего GaAs, компенсированного хрома Г. И. Айзенштат, М. В. Биматов, А. П. Воробьев, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Биматов, Михаил Владимирович | Воробьев, Александр Павлович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    205.
    Арсенидогаллиевые тонкослойные датчики магнитной индукции на основе эффекта Холла Г. Ф. Карлова, Л. П. Умбрас, А. В. Ханин

    by Карлова, Гелия Федоровна | Умбрас, Л. П | Ханин, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    206.
    Влияние гамма-облучения на характеристики датчиков магнитной индукции на основе эффекта Холла Г. Ф. Карлова, А. В. Градобоев, Л. П. Умбрас

    by Карлова, Гелия Федоровна | Градобоев, Александр Васильевич | Умбрас, Л. П.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    207.
    Сверхбыстродействующая элементная база интегральных схем на арсениде галлия С. С. Шмелев, М. А. Кириллов, Б. Г. Налбандов [и др.]

    by Шмелев, Сергей Сергеевич | Кириллов, М. А | Налбандов, Б. Г | Чечуев, А. П | Горбацевич, Александр Алексеевич, 1955-.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    208.
    Светоизлучающие диоды А. А. Вилисов

    by Вилисов, Анатолий Александрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    209.
    Ионная имплантация в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ Д. В. Григорьев, Д. В. Леонтьев

    by Григорьев, Денис Валерьевич | Леонтьев, Дмитрий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    210.
    Исследование коэффициента поглощения рентгеновского излучения в GaAs Р. А. Климанов

    by Климанов, Р. А.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    211.
    212.
    Роль нестехиометрии в установлении содержания остаточного углерода в арсениде галлия В. В. Резвицкий, Г. Н. Семенова, Л. Г. Шепель, А. Хрубан

    by Резвицкий, В. В | Семенова, Г. Н | Шепель, Л. Г | Хрубан, А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    213.
    Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка и легирующих примесей на структуру и свойства слоев Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Преображенский, Валерий Владимирович | Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    214.
    Ядерно-легированные и радиационно-модифицированные полупроводники - материалы XXI века Н. Г. Колин

    by Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    215.
    GaAs детекторы ионизирующих излучений О. П. Толбанов

    by Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    216.
    Синтез полупроводниковых халькогенидных наночастиц - "квантовых точек" в системе гидразингидрат - щелочь Е. П. Леванова, С. Г. Шевченко, В. А. Грабельных и др.

    by Леванова, Екатерина Петровна | Шевченко, С. Г | Грабельных, Валентина Александровна.

    Source: Полифункциональные наноматериалы и нанотехнологии. Т. 1Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    217.
    218.
    Химия ацетилена: новые главы Н. К. Гусарова, А. И. Михалева, Е. Ю. Шмидт, А. Г. Малькина ; Российская акад. наук, Сибирское отд-ние, Иркутский ин-т химии им. А. Е. Фаворского ; под ред. М. П. Егорова

    by Гусарова, Нина Кузьминична | Михалева, Альбина Ивановна | Шмидт, Елена Юрьевна | Малькина, Анастасия Григорьевна | Егоров, Михаил Петрович [edt].

    Material type: Text Text; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Новосибирск Наука 2013Availability: No items available :
    219.
    220.
    Время жизни носителей заряда в эпитаксиальных слоях КРТ МЛЭ с неоднородным распределением состава и уровня легирования А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, Н. В. Федорова

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Федорова, Н. В.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    221.
    Исследование тройных полупроводников A2 B4 C5/2 В. Г. Воеводин, В. А. Чалдышев

    by Воеводин, Валерий Георгиевич | Чалдышев, Виктор Александрович, 1929-2008 | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    222.
    223.
    Simulation of inkjet printing process and printing of organic semiconducting materials R. M. Gadirov, A. V. Odod, T. A. Solodova [et.al.]

    by Gadirov, Ruslan M | Solodova, Tatyana A | Nikonova, Elena N | Kurtsevich, A. E | Kopylova, Tatyana N | Odod, A. V.

    Source: The International seminar on interdisciplinary problems in additive technologies, 6-9 December 2016, Tomsk : problems of materials scince in additive technologiesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    224.
    Исследование влияния температуры отжига GaAs:Cr на величину удельного сопротивления и характер его распределения по площади пластин М. Д. Уколов

    by Уколов, Максим Дмитриевич.

    Source: Труды Четырнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2017 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    225.
    Физико-химические аспекты электронного материаловедения Г. М. Мокроусов

    by Мокроусов, Геннадий Михайлович | Томский государственный университет Химический факультет Кафедра аналитической химии.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    226.
    Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs Г. А. Любас, Н. Н. Леденцов Д. Литвинов [и др.]

    by Любас, Г. А | Леденцов, Николай Николаевич | Литвтнов, Д.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    227.
    Реконструкционный фазовый переход (2х4)α → (2х4)β на поверхности (001) GaAs, индуцированный адсорбцией тетрамера мышьяка Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. М. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    228.
    Адиабатические и неадиабатические процессы в гомоэпитаксии на поверхности (001) GaAs из пучков As4 и Ga Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    229.
    Investigation of indium antimonide microcrystals irradiated with fast neutrons I. Bolshakova, R. Holyaka, C. Leroy, M. Kumada

    by Bolshakova, I | Holyaka, R | Leroy, C | Kumada, M.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    230.
    Application of D-T fast neutron source in neutron activation analysis M. E. Medhat

    by Medhat, M. E.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    231.
    Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP В. Н. Брудный, В. А. Новиков

    by Брудный, Валентин Натанович | Новиков, Вадим Александрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    232.
    Применение радиационных технологий в производстве диодов Ганна А. В. Градобоев

    by Градобоев, Александр Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    233.
    Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин ; науч. ред. И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote festschrift ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательство Томского государственного университета 2022Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    234.
    Материалы и элементы электронной техники. Проводники, полупроводники, диэлектрики Сорокин В. С.,Антипов Б. Л.,Лазарева Н. П.

    by Сорокин В. С | Антипов Б. Л | Лазарева Н. П.

    Edition: 2-е изд., испр.Material type: Text Text; Format: electronic ; Audience: General; Language: Russian Publication details: Санкт-Петербург Лань 2022Online access: Click here to access online | Click here to access online Availability: No items available :
    235.
    Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 Щербаков Иван Дмитриевич ; науч. рук. Толбанов О. П. ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Толбанов, Олег Петрович [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2023Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    236.
    Химия элементов и соединений учебное пособие для вузов Ермолаева В. И.,Горшкова В. М.,Слынько Л. Е.,Двуличанская Н. Н.

    by Ермолаева, Виолетта Ивановна | Горшкова В. М | Слынько Л. Е | Двуличанская, Наталья Николаевна.

    Edition: 3-е изд., стер.Material type: Text Text; Format: electronic ; Audience: General; Language: Russian Publication details: Санкт-Петербург Лань 2023Online access: Click here to access online | Click here to access online Availability: No items available :
    237.
    Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов Т. 1 под ред. К. А. Джексона и В. Шретера ; пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской ; ред. А. М. Ховив

    by Джексон, К. А [edt] | Шретер, Вольфганг [edt] | Ховив, Александр Михайлович [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Original language: English Publication details: Воронеж Водолей 2004Other title: Handbook of Semiconductor Technology | Электронная структура и свойства полупроводников.Availability: No items available :
    238.
    Электроника [Учебное пособие для высших технических учебных заведений] В. И. Лачин, Н. С. Савелов

    by Лачин, Вячеслав Иванович | Савелов, Николай Семенович.

    Series: Высшее образованиеEdition: 3-е изд., перераб. и доп.Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Ростов-на-Дону Феникс 2002Availability: No items available :
    239.
    Прибор для комплексного метода измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов Н. Ю. Шаронов, А. Г. Левашкин, А. Г. Лапатин, А. И. Башкиров

    by Левашкин, Андрей Геньевич | Лапатин, Алексей Леонидович | Башкиров, Александр Иванович | Шаронов, Никита Юрьевич.

    Source: Инноватика - 2019 : сборник материалов XV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 25-27 апреля 2019 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Instrument for a complex method for measuring the resistivity of semiconductor materials.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    240.
    Термостимулированная модификация примесной подсистемы монокристаллов GaAs:Te В. И. Дубовик

    by Дубовик, Виктор Иванович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    241.
    Наноструктурирование приповерхностных слоев полупроводниковых материалов В. П. Демкин, Б. С. Семухин, С. В. Мельничук

    by Демкин, Владимир Петрович, 1950- | Семухин, Борис Семенович | Мельничук, Сергей Васильевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    242.
    Исследование спектра поглощения Si:Ge наногетероструктур К. А. Лозовой, А. М. Турапин, А. В. Яцкий, А. П. Коханенко

    by Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Яцкий, А. В | Коханенко, Андрей Павлович.

    Source: Молодежная школа-конференция с международным участием "Лазеры и лазерные технологии ", посвященная 50-летию создания первого в мире лазера : труды школы-конференции, 22-27 ноября 2010 года, Россия, ТомскMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    243.
    Прибор для бесконтактного метода измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов Д. С. Репкин, Н. Ю. Шаронов, А. Г. Левашкин [и др.]

    by Шаронов, Никита Юрьевич | Левашкин, Андрей Геньевич | Мошкина, Мария Дмитриевна | Башкиров, Александр Иванович | Репкин, Дмитрий Сергеевич.

    Source: Инноватика - 2018 : сборник материалов XIV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 26-27 апреля 2018 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Instrument for a non-contact method for measuring the resistivity of semiconductor materials.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    244.
    Кинетика и механизм захвата примеси при газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Торопов Сергей Евгеньевич ; науч. рук. Лаврентьева Л. Г. ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева

    by Торопов, Сергей Евгеньевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1988Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    245.
    Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. М. Турапин и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Турапин, Алексей Михайлович | Романов, Иван Сергеевич | Лозовой, Кирилл Александрович.

    Source: XXII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22-25 мая 2012, Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    246.
    247.
    Вторичная структура кристаллов и эффект Ганна - новые подходы и перспективы Ю. И. Веснин

    by Веснин, Юрий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    248.
    Удаление остаточного резиста с поверхности арсенида галлия в кислород- или водоросрдержащих средах Е. В. Анищенко, В. М. Диамант, В. А. Кагадей [и др.]

    by Анищенко, Екатерина Валентиновна | Диамант, В. М | Кагадей, Валерий Алексеевич | Нефедцев, Евгений Валерьевич | Оскомов, Константин Владимирович | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Романенко, Святослав Валерьевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    249.
    Эффективные источники поляризованных электронов на основе тонких напряженных слоев GaAsP А. В. Рощанский, Ю. А. Мамаев, Ю. П. Яшин [и др.]

    by Рощанский, А. В | Мамаев, Ю. А | Яшин, Ю. П.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    250.
    Радиационная стойкость GaAs ФЭП под действием высокоэнергетических электронов с энергией 3МэВ А. В. Юрченко, В. М. Зыков, Н. Т. Юнда [и др.]

    by Юрченко, Алексей Васильевич | Зыков, Владимир Михайлович | Юнда, Николай Терентьевич | Бакин, Николай Николаевич | Лошманов, Д. А.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :