Normal view
MARC view
Адиабатические и неадиабатические процессы в гомоэпитаксии на поверхности (001) GaAs из пучков As4 и Ga Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | арсенид галлия | гомоэпитаксия | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 217No physical items for this record
В статье С. М. Мощенко
There are no comments on this title.