Normal view
MARC view
Электронные свойства структур на основе GaAs, компенсированного глубокими центрами О. П. Толбанов
Material type: ArticleSubject(s): электронные свойства | легирование | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 473-476No physical items for this record
Библиогр.: 3 назв.
There are no comments on this title.