Normal view
MARC view
Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка и легирующих примесей на структуру и свойства слоев Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев
Material type:
ArticleSubject(s): полупроводниковые материалы | полупроводники | молекулярно-лучевая эпитаксия | арсенид галлия | мышьяк | труды ученых ТГУ
In:
Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 12-14
No physical items for this record
There are no comments on this title.