Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 405 results.

    201.
    No cover image available
    Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов

    by Брудный, Валентин Натанович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Толбанов, Олег Петрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Электронная промышленностьMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    202.
    No cover image available
    Моделирование процесса переноса носителей заряда в арсенид-галлиевом детекторе А. М. Губочкин

    by Губочкин, А. М.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    203.
    No cover image available
    Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs И. А. Прудаев, С. С. Хлудков, А. К. Гутаковский и др.

    by Хлудков, Станислав Степанович | Гутаковский, Антон Константинович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Неорганические материалыMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    204.
    No cover image available
    Электрофизические и детекторные свойства арсенида галлия, выращенного из раствора-расплава Ю. П. Козлова, Е. П. Веретенкин, В. Н. Гаврин и др.

    by Козлова, Юлия Павловна | Веретенкин, Е. П | Гаврин, В. Н.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    205.
    No cover image available
    Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре А. В. Бойцов, Н. А. Берт, В. В. Чалдышев и др.

    by Бойцов, А. В | Берт, Николай Алексеевич | Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    206.
    No cover image available
    Исследование структуры собственного окисла на поверхности GaAs FTIR-методом Е. Л. Еремина, В. П. Бабак, С. В. Смирнов

    by Еремина, Е. Л | Бабак, В. П | Смирнов, Серафим Всеволодович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    207.
    No cover image available
    Characterization of photon counting pixel detectors based on semi-insulating GaAs sensor material E. Hamann, A. Cecilia, A. Zwerger [et.al.]

    by Cecilia, A | Zwerger, A | Fauler, A | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Shelkov, G | Graafsma, H | Baumbach, T | Fiederle, M | Hamann, E | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    208.
    No cover image available
    Сбор заряда в координатных детекторах рентгеновского излучения на основе полуизолирующего GaAs, компенсированного хрома Г. И. Айзенштат, М. В. Биматов, А. П. Воробьев, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Биматов, Михаил Владимирович | Воробьев, Александр Павлович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    209.
    No cover image available
    Арсенидогаллиевые тонкослойные датчики магнитной индукции на основе эффекта Холла Г. Ф. Карлова, Л. П. Умбрас, А. В. Ханин

    by Карлова, Гелия Федоровна | Умбрас, Л. П | Ханин, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    210.
    No cover image available
    Сверхбыстродействующая элементная база интегральных схем на арсениде галлия С. С. Шмелев, М. А. Кириллов, Б. Г. Налбандов [и др.]

    by Шмелев, Сергей Сергеевич | Кириллов, М. А | Налбандов, Б. Г | Чечуев, А. П | Горбацевич, Александр Алексеевич, 1955-.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    211.
    No cover image available
    212.
    No cover image available
    Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2 С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    213.
    No cover image available
    Unipolar semiconductor barrier structures for infrared photodetector arrays (Review) I. D. Burlakov, N. A. Kulchitskii, A. V. Voytsekhovskiy [et al.]

    by Burlakov, I. D | Kulchitskii, N. A | Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Gorn, Dmitriy Igorevich.

    Source: Journal of communications technology and electronicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    214.
    No cover image available
    Рассеяние квазидвумерных электронов на фононах в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs С. И. Борисенко

    by Борисенко, Сергей Иванович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    215.
    No cover image available
    Модели рассеяния дырок на гетерограницах GaAs/AlAs В. Н. Чернышов, Г. Ф. Караваев

    by Чернышов, Виктор Николаевич | Караваев, Геннадий Федорович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    216.
    No cover image available
    Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, М. А. Путято [и др.]

    by Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Торопов, Сергей Евгеньевич.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    217.
    No cover image available
    Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия О. П. Толбанов

    by Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    218.
    No cover image available
    Разработка и исследование детекторов ионизирующих излучений и модулей изображения в Х-лучах на основе структур из полуизолирующего GaAs, компенсированного Сг в процессе диффузии Г. И. Айзенштат, О. П. Толбанов, А. В.Тяжев

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    219.
    No cover image available
    Детекторы рентгеновского излучения и y-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гермогенов, Валерий Петрович | Гущин, Сергей Михайлович | Толбанов, Олег Петрович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    220.
    No cover image available
    Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2 диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 Верхолетов Максим Георгиевич ; науч. рук. Прудаев И. А. ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т

    by Верхолетов, Максим Георгиевич | Прудаев, Илья Анатольевич [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2022Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    221.
    No cover image available
    Исследование особенностей сбора заряда в GaAs π-ν-n структурах, компенсированных Cr Е. Н. Авдеева, Л. С. Окаевич

    by Авдеева, Е. Н | Окаевич, Людмила Стефановна.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    222.
    No cover image available
    Электрические характеристики эпитаксиальных p-i-n структур из арсенида галия для детекторов ионизирующих излучений В. И. Димеев

    by Димеев, В. И.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    223.
    No cover image available
    Исследование коэффициента поглощения рентгеновского излучения в GaAs Р. А. Климанов

    by Климанов, Р. А.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    224.
    Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова, И. А. Прудаев ; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т

    by Толбанов, Олег Петрович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Other title: Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    225.
    No cover image available
    Низкотемпературная молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия и твердых растворов на его основе: структура и свойства слоев Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    226.
    No cover image available
    Evalution of the EL2 concentraion in GaAs crystals grown from melts with variable composition T. J. Bowles, V. K. Eremin, V. N. Gavrin [et.al.]

    by Bowles, T. J | Eremin, V. K | Gavrin, V. N.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    227.
    No cover image available
    Роль нестехиометрии в установлении содержания остаточного углерода в арсениде галлия В. В. Резвицкий, Г. Н. Семенова, Л. Г. Шепель, А. Хрубан

    by Резвицкий, В. В | Семенова, Г. Н | Шепель, Л. Г | Хрубан, А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    228.
    No cover image available
    Влияние термоакцепторов на электрофизические характеристики диффузионных, высокоомных слоев GaA:Cr Д. Л. Будницкий, А. И. Госсен, О. Б. Корецкая

    by Будницкий, Давыд Львович | Госсен, А. И | Корецкая, Ольга Борисовна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    229.
    No cover image available
    Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка и легирующих примесей на структуру и свойства слоев Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Преображенский, Валерий Владимирович | Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    230.
    No cover image available
    Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    231.
    No cover image available
    Isotopically enriched 71GaAs crystal growth and properties A. V. Markov, L. Moreno-Garsia, B. N. Sharonov [et.al.]

    by Markov, A. V | Moreno-Garsia, L | Sharonov, B. N.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    232.
    No cover image available
    Основные антиструктурные дефекты в GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин

    by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    233.
    No cover image available
    Туннелирование электронов в структурах GaAs/AlAs(001) с плавным потенциалом на гетерограницах С. Н. Гриняев, Г. Ф. Караваев

    by Гриняев, Сергей Николаевич | Караваев, Геннадий Федорович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    234.
    No cover image available
    Арсенид галлия - как материал для микромеханики В. И. Юрченко

    by Юрченко, Василий Иванович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    235.
    No cover image available
    Газовые сенсоры на основе структуры Pd-GaAs В. И. Гаман, М. О. Дученко, В. М. Калыгина

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Дученко, Мария Олеговна | Калыгина, Вера Михайловна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    236.
    No cover image available
    Электронная пушка источника атомарного водорода для обработки полупроводниковых структур в процессах молекулярно-лучевой эпитаксии В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев, Д. И. Проскуровский, Я. А. Чащин

    by Кагадей, Валерий Алексеевич | Нефедцев, Евгений Валерьевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Чащин, Я. А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    237.
    No cover image available
    Влияние водорода на вольт-амперные характеристики структур Pd/n-In0.53Ga0.47As Л. С. Хлудкова, В. П. Воронков

    by Хлудкова, Людмила Станиславовна | Воронков, Виктор Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    238.
    No cover image available
    К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs Н. Г. Филонов

    by Филонов, Николай Григорьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    239.
    No cover image available
    Зависимости между параметрами эллипсометрии и потенциального барьера твердых тел при удалении слоя естественного окисла с их поверхности Ю. И. Асалханов, А. И. Бадлуев

    by Асалханов, Юлий Иннокентьевич | Бадлуев, Алексей Ильич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    240.
    No cover image available
    Пиксельный детектор на арсениде галлия для маммографии Г. И. Айзенштат, Д. Г. Прокопьев

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Прокопьев, Дмитрий Геннадьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    241.
    No cover image available
    Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев и др.

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Монастырев, Евгений Александрович | Божков, Владимир Григорьевич | Иващенко, Анна Ивановна | Ющенко, Алексей Юрьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    242.
    No cover image available
    Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, О. П. Пчеляков и др.

    by Коханенко, Андрей Павлович | Пчеляков, Олег Петрович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Селезнев, Владимир Александрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Zhicuan, Niu | Haiqiao, Ni | Емельянов, Евгений Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    243.
    No cover image available
    Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения Л. К. Шаймерденова

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна.

    Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    244.
    No cover image available
    Dependence of X-ray sensitivity of GaAs:Cr sensors on material of contacts A. D. Lozinskaya, V. A. Novikov, O. P. Tolbanov [et.al.]

    by Lozinskaya, Anastassiya D | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Yaskevich, T. M | Zarubin, Andrei N | Novikov, Vladimir A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    245.
    No cover image available
    Перераспределение точечных дефектов при диффузии цинка в арсенид галлия В. Д. Окунев, В. И. Гаман, Б. Г. Захаров и др.

    by Окунев, В. Д | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Захаров, Б. Г | Хлудков, Станислав Степанович | Цимберова, И. С.

    Source: Арсенид галлия. Вып. 4Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    246.
    No cover image available
    Особенности вольт-амперных характеристик диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного примесями с глубокими уровнями В. И. Гаман, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Фукс, Г. М.

    Source: Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    247.
    No cover image available
    Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики р-???-п-структур на основе GaAs(Fe) А. А. Вилисов, В. И. Гаман, В. М. Диамант, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Вилисов, Анатолий Александрович | Диамант, В. М | Фукс, Г. М.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    248.
    No cover image available
    Влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики ???-y-n структур из GaAs: Fe А. А. Вилисов, В. И. Гаман, В. М. Диамант

    by Вилисов, Анатолий Александрович | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Диамант, В. М.

    Source: Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    249.
    No cover image available
    Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом Л. К. Шаймерденова, А. В. Тяжев

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Тяжев, Антон Владимирович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    250.
    No cover image available
    Сравнительный анализ характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе CdZnTe и GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. М. Пристай, О. П. Толбанов

    by Новиков, Владимир Александрович | Пристай, Ольга Михайловна | Толбанов, Олег Петрович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart