Normal view
MARC view
Исследование особенностей сбора заряда в GaAs π-ν-n структурах, компенсированных Cr Е. Н. Авдеева, Л. С. Окаевич
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | координатные детекторы | труды ученых ТГУ | экспериментальные исследования | арсенид галлия | детекторы In: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г С. 68No physical items for this record
There are no comments on this title.