Normal view
MARC view
К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs Н. Г. Филонов
Material type: ArticleSubject(s): арсенид галлия | полупроводниковое материалы | диодные структуры | металл-полупроводник | Шоттки барьер | вольт-амперные характеристики | труды ученых ТГУ In: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 214-216No physical items for this record
Библиогр.: 1 назв.
There are no comments on this title.