Normal view
MARC view
Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, М. А. Путято [и др.]
Material type:
ArticleSubject(s): сложные полупроводники | полупроводниковые наноструктуры | арсенид галлия | кремний | молекулярно-лучевая эпитаксия | низкие температуры | электрофизические свойства | экспериментальные исследования | труды ученых ТГУ
In:
Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ 29 сентября - 4 октября 2003 г. С. 90-91
No physical items for this record
There are no comments on this title.