Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 405 results.

    101.
    Морфология поверхности эпитаксиальных слоев арсенида галия, выращенных на вициналях φ0(111)А и φ0(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии Л. Л. Девятьярова

    by Анисимова, Любовь Леонидовна.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    102.
    Влияние Г-X рассеяния на гетерограницах GaAs (001) туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111) ВАХ резонансно-туннельных структур А. А. Воронков

    by Воронков, А. А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    103.
    Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин [и др.]

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Болховитянов, Юрий Борисович | Пчеляков, Олег Петрович | Феклин, Дмитрий Федорович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    104.
    Влияние структурных дефектов на распределение нестехиометрического мышьяка в НТ МЛЭ InGaAs И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, С. В. Субач [и др.]

    by Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Субач, Сергей Владимирович | Гутаковский, Антон Константинович | Преображенский, Валерий Владимирович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    105.
    Поликристаллические пленки арсенида галлия на инородных подложках Н. Н. Бакин, И. В. Ивонин, Л. П. Пороховниченко [и др.]

    by Бакин, Николай Николаевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Пороховниченко, Лидия Петровна | Чубирко, Валентина Анатольевна | Шибанов, А. А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    106.
    Эпитаксиальные структуры из арсенида галлия для детекторов ионизирующих излучений Д. Л. Будницкий, В. П. Гермогенов, А. А. Ларионов [и др.]

    by Будницкий, Давыд Львович | Гермогенов, Валерий Петрович | Ларионов, А. А | Пороховниченко, Лидия Петровна | Потапов, Александр Иванович | Романова, А. Е | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    107.
    Исследование детекторных структур на основе полуизолирующего арсенида галлия Г. И. Айзенштат, О. Б. Корецкая, Л. С. Окаевич [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Корецкая, Ольга Борисовна | Окаевич, Людмила Стефановна | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    108.
    Transport of non-equilbrium carriers in space charge region of p-ν-n detectors from Si GaAs E. Verbitskaya, V. Eremin, A. Ivanov [et.al.]

    by Verbitskaya, E | Eremin, V. K | Ivanov, A.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    109.
    Фотоэлектрические характеристики структур из GaAs, легированного Fe и Cr, в УФ-области спектра Д. Л. Будницкий, А. И. Госсен, О. Б. Корецкая, С. С. Хлудков

    by Будницкий, Давыд Львович | Госсен, А. И | Корецкая, Ольга Борисовна | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    110.
    Модель неоднородного фотоэлектрического преобразователя А. В. Юрченко, А. А. Ушеренко

    by Юрченко, Алексей Васильевич | Ушеренко, А. А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    111.
    Монолитные и квазимонолитные модули и устройства мм-диапазона на основе арсенид галлиевых МИС В. Г. Божков, В. А. Геннеберг, К. И. Куркан, В. И. Перфильев

    by Божков, Владимир Григорьевич | Геннеберг, В. А | Куркан, К. И | Перфильев, Виктор Иванович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    112.
    Аномальные тензоэффекты и катастрофические отказы в приборах на арсениде галлия Н. П. Криворотов, А. В. Хан, С. С. Щеголь

    by Криворотов, Николай Павлович | Хан, А. В | Щеголь, Сергей Степанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    113.
    GaAs/InGaAs микро-, нанотрубки и перспективы их применения в микромеханике и биологии А. В. Принц, В. А. Селезнев, В. Я. Принц

    by Принц, Александр Викторович | Селезнев, Владимир Александрович | Принц, Виктор Яковлевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    114.
    Гибридно-интегральные генераторы на GaAs диодах для автодинных систем КВЧ диапазона длин волн С. Д. Воторопин

    by Воторопин, Сергей Дмитриевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    115.
    Взаимодействие медленных электронов с поверхностью арсенида галлия при различных воздействиях на нее Ю. И. Асалханов, А. И. Бадлуев

    by Асалханов, Юлий Иннокентьевич | Бадлуев, Алексей Ильич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    116.
    Особенности структуры монокристаллов GaAs, легированных кремнием, выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3 В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, Е. В. Жевнеров, А. В. Марков

    by Бублик, Владимир Тимофеевич | Щербачев, Кирилл Дмитриевич | Жевнеров, Евгений Владимирович | Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    117.
    Исследование дефектности сложных поликристаллических слоев арсенида галлия для фотопреобразователей А. В. Юрченко

    by Юрченко, Алексей Васильевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    118.
    Концентрационный и температурный фазовые переходы в арсениде галлия n-типа В. А. Богданова, Н. А. Давлеткильдеев, В. И. Дубовик [и др.]

    by Богданова, Вера Александровна | Давлеткильдеев, Надим Анварович | Дубовик, Виктор Иванович | Елизаров, М. С | Семиколенова, Надежда Александровна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    119.
    Исследование проникновения атомарного водорода в арсенид галлия во время гидрогенизации при низком давлении В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Д. И. Проскуровский, Н. А. Торхов

    by Божков, Владимир Григорьевич | Кагадей, Валерий Алексеевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Торхов, Николай Анатольевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    120.
    Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующем нелегированном GaAs К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук

    by Глинчук, Константин Давыдович | Литовченко, Н. М | Прохорович, А. В | Стрильчук, О. Н.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    121.
    Эпитаксиальные слои GaAs и твердые растворы на его основе, получаемые методом MOCVD В. Н. Вертопрахов, В. С. Данилович

    by Вертопрахов, Владимир Никифорович | Данилович, В. С.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    122.
    Влияние легирования кремнием на структурное совершенство монокристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3 В. Т. Бублик, С. Ю. Мацнев, К. Д. Щербачев [и др.]

    by Бублик, Владимир Тимофеевич | Мацнев, С. Ю | Щербачев, Кирилл Дмитриевич | Антонов. В | Гончарова, Н. В | Маркова, Т. И.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    123.
    Выращивание вискеров InAs и GaAs из паровой фазы И. А. Большакова, Е. Ю. Макидо, Я. Я. Кость [и др.]

    by Большакова, И. А | Макидо, Е. Ю | Кость, Я. Я | Микитенко, А. А | Батманов, А. С.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    124.
    Совершенство кристаллической структуры монокристаллов GaAs:Te при примесном упорядочении В. А. Богданова, Н. А. Давлеткильдеев, А. А. Коротченко [и др.]

    by Богданова, Вера Александровна | Давлеткильдеев, Надим Анварович | Коротченко, А. А | Нукенов, М. М | Семиколенова, Надежда Александровна | Сидоров, Евгений Николаевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    125.
    Кривые ликвидуса и солидуса для GaAs. Определяющее влияние антиструктурных дефектов на стехиометрию GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин

    by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    126.
    Аномальная интенсивностная зависимость времени возгорания и затухания экситонной фотолюминесценции в высокочастотных слоях GaAs и прямозонных твердых растворов AlGaAs Т. С. Шамирзаев, К. С. Журавлев, А. И. Торопов [и др.]

    by Шамирзаев, Тимур Сезгирович | Журавлев, Константин Сергеевич | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    127.
    Поглощение ИК-излучения в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, О. П. Толбанов

    by Будницкий, Давыд Львович | Новиков, Вадим Александрович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    128.
    Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001) А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев

    by Разжувалов, Александр Николаевич | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    129.
    Влияние морфологии гетерограниц на транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами А. К. Бакаров, А. А. Быков, А. В. Горан [и др.]

    by Бакаров, Асхат Климович | Быков, Алексей Александрович | Горан, Андрей Васильевич | Деребезов, Илья Александрович | Попова, А. В | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    130.
    Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов Александрова О. А.,Лебедев А. О.,Мараева Е. В.

    by Александрова О. А | Лебедев А. О | Мараева Е. В.

    Material type: Text Text; Format: electronic ; Audience: General; Language: Russian Publication details: Санкт-Петербург Лань 2023Online access: Click here to access online | Click here to access online Availability: No items available :
    131.
    Исследование фотоэлектрических и электрофизических свойств арсенида галлия, легированного медью А.В. Войцеховский, Г.А. Захарова, Е.В. Малисова и др.

    by Петров, Алексей Сергеевич, 1938-1996 | Войцеховский, Александр Васильевич | Захарова, Г. А | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 | Малисова, Е. В.

    Source: Материалы XVIII научно-технической конференции по радиоэлектронике, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина / Томский университетMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    132.
    Влияние неоднородного распределения радиационных дефектов в GaAs на спектры НЕСГУ Б. К. Кемалов

    by Кемалов, Б. К.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    133.
    Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content M. A. Pankov, B. A. Aronzon, V.V. Rylkov [et.al.]

    by Aronzon, B. A | Rylkov, V. V | Davydov, A. B | Tugushev, V. V | Caprara, S | Likhachev, I. A | Pashaev, E. M | Chuev, M. A | Lahderanta, E | Vedeneev, A. S | Bugaev, A. S | Pankov, M. A | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: The European physical journal BMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    134.
    Ab-initio study of new Ga-rich GaAs(001) surface (4 × 4) reconstruction A. V. Bakulin, S. E. Kulkova, S. V. Eremeev, O. E. Tereshchenko

    by Kulkova, Svetlana E | Eremeev, Sergey V | Tereshchenko, Oleg E | Bakulin, Alexander V | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра теоретической физики | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

    Source: Surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    135.
    История организации и становления научного направления по физике полупроводников в Томском университете и Сибирском физко-техническом институте А. П. Вяткин, М. А. Кривов, Л. Г. Лаврентьева

    by Вяткин, Анатолий Петрович | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    136.
    Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    137.
    Исследование высокотемпературных сплавных контактов полупроводников с металлами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук У. М. Кулиш ; науч. рук. А. П. Вяткин ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова

    by Кулиш, Ушер Меерович | Вяткин, Анатолий Петрович [ths] | Томский государственный университет | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1966Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    138.
    Электрические характеристики детекторных структур на основе арсенида галлия, компенсированного хромом Л. С. Окаевич, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев

    by Окаевич, Людмила Стефановна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    139.
    Исследование характеристик арсенида галлия, компенсированного хромом, как материала для сенсоров рентгеновского излучения Л. К. Шаймерденова

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна.

    Source: Сборник тезисов участников форума "Наука будущего – наука молодых" : III Всероссийский научный форум, 12 сентября - 14 сентября 2017 года, г. Нижний НовгородMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    140.
    Backward Reconstructions on GaAs(001) Surface Induced by Atomic Hydrogen Reactions: Surfactant-Assisted Low-Temperature Surface Ordering O. E. Tereshchenko, A. V. Bakulin, S. E. Kulkova, S. V. Eremeev

    by Bakulin, Alexander V | Kulkova, Svetlana E | Eremeev, Sergey V | Tereshchenko, Oleg E | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра теоретической физики | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: The Journal of Physical Chemistry CMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    141.
    Исследование электронно-дырочных переходов и структур в эпитаксиальном арсениде галлия, выращенном из газовой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук М. Д. Вилисова ; науч. рук. Л. Г. Лаврентьева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1972Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    142.
    Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов Л. К. Шаймерденова

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    143.
    Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, М. А. Путято, В. В. Преображенский [и др.]

    by Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Торопов, Сергей Евгеньевич | Чалдышев, Владимир Викторович | Куницын, Александр Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    144.
    Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии А. В. Попова

    by Попова, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    145.
    Исследование электронных процессов в GaAs детекторах Г. И. Айзенштат, М. Биматов, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Айзенштат, Геннадий Исаакович | Биматов, Михаил Владимирович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    146.
    Тонкопленочные просветвляющие покрытия на основе Ta2O5 для солнечных элементов на GaAs И. А. Чистоедова, А. Пятова

    by Чистоедова, Инна Анатольевна | Пятова, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    147.
    Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин и др.

    by Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    148.
    GaAs лавинный s-диод с управляющим электродом И. А. Прудаев, М. С. Скакунов, О. П. Толбанов

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    149.
    Частотная зависимость выходного сигнала в детекторах из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, Т. В. Медведева, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Лелеков, Михаил Александрович | Медведева, Т. В | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    150.
    Матричный GaAs-детектор 128x128 элементов для рентгенографии А. П. Воробьев, С. Н. Головня, С. А. Горохов и др.

    by Воробьев, А. П | Головня, С. Н | Горохов, С. А | Корецкая, Ольга Борисовна | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :