Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин и др.

Contributor(s): Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИMaterial type: ArticleArticleSubject(s): полупроводники | арсенид галлия | анодное окисление | оксидные пленки | термический отжиг | кислородная плазма | дефекты точечные | атомные вакансииGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 9. С. 11-16
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 14 назв.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share