|
|
1.
|
|
|
|
2.
|
|
|
|
3.
|
|
|
|
4.
|
Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия А. Н. Зарубин,А. Д. Лозинская, Д. Ю. Мокеев и др. by Лозинская, Анастасия Дмитриевна | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type:  Article; Format:
electronic
available online
 Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
5.
|
Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке И. А. Прудаев, И. С. Романов, Вад. А. Новиков и др. by Романов, Иван Сергеевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
6.
|
|
|
|
7.
|
Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates I. S. Romanov, I. A. Prudaev, V. N. Brudnyi [et.al.] by Romanov, I. S | Brudnyi, Valentin N | Kopyev, Viktor V | Novikov, Vadim A | Marmalyuk, A. A | Kureshov, V. A | Sabitov, D. R | Mazalov, A. V | Prudaev, Ilya A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
8.
|
Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др. by Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
9.
|
|
|
|
10.
|
Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами В. М. Бойко, В. Н. Брудный, С. С. Веревкин и др. by Бойко, В. М | Веревкин, Сергей Сергеевич | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, Александр Яковлевич | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
11.
|
|
|
|
12.
|
|
|
|
13.
|
|
|
|
14.
|
Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия И. А. Бобровникова, И. В. Ивонин, В. А. Новиков [и др.] by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Новиков, Вадим Александрович | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
15.
|
|
|
|
16.
|
|
|
|
17.
|
|
|
|
18.
|
|
|
|
19.
|
Эпитаксиальные слои GaN, выращенные хлорид-гидридным методом, и их свойства А. В. Говорков, Л. И. Дьяконов, Ю. П. Козлова и др. by Говорков, Анатолий Васильевич | Дьяконов, Лев Иванович | Козлова, Юлия Павловна. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
20.
|
Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, А. В. Говорков и др. by Веревкин, Сергей Сергеевич | Говорков, Анатолий Васильевич | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, Александр Яковлевич | Смирнов, Н. Б | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
21.
|
|
|
|
22.
|
|
|
|
23.
|
|
|
|
24.
|
Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN И. С. Романов, А. А. Мармалюк, В. А. Курешов и др. by Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
25.
|
|
|
|
26.
|
|
|
|
27.
|
|
|
|
28.
|
|
|
|
29.
|
|
|
|
30.
|
|
|
|
31.
|
|
|
|
32.
|
|
|
|
33.
|
|
|
|
34.
|
|
|
|
35.
|
|
|
|
36.
|
|
|
|
37.
|
|
|
|
38.
|
|
|
|
39.
|
|
|
|
40.
|
Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.] by Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Хамзин, Т. Х | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович | Пчеляков, Олег Петрович. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
41.
|
Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.] by Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Хамзин, Т. Х | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович | Пчеляков, Олег Петрович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
42.
|
|
|
|
43.
|
|
|
|
44.
|
Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, В. А. Новиков и др. by Голыгин, Илья Юрьевич | Новиков, Вадим Александрович | Данюк, Денис Борисович | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
45.
|
|
|
|
46.
|
|
|
|
47.
|
Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный и др. by Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
48.
|
|
|
|
49.
|
|
