Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный

Contributor(s): Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор ВасильевичMaterial type: ArticleArticleSubject(s): нитрид галлия | множественные квантовые ямы | носители заряда | светодиоды | квантовая эффективность | температурная зависимость | баллистический транспорт | плотность токаGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 5. С. 53-56Abstract: Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных структур «синего» диапазона длин волн на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN при различной силе прямого тока. Установлено, что в области высоких плотностей тока наблюдается увеличение квантового выхода при росте температуры. Моделирование зависимостей квантового выхода светодиодных структур от силы проте- кающего тока показало, что при учете баллистического и прыжкового транспорта носителей заряда в активной области структуры расчетные и экспериментальные зависимости согласуются. Показано, что уменьшение тол- щины активной области структуры приводит к ослаблению зависимости квантового выхода от температуры при высокой плотности тока.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 10 назв.

Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных
структур «синего» диапазона длин волн на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN при различной силе
прямого тока. Установлено, что в области высоких плотностей тока наблюдается увеличение квантового выхода
при росте температуры. Моделирование зависимостей квантового выхода светодиодных структур от силы проте-
кающего тока показало, что при учете баллистического и прыжкового транспорта носителей заряда в активной
области структуры расчетные и экспериментальные зависимости согласуются. Показано, что уменьшение тол-
щины активной области структуры приводит к ослаблению зависимости квантового выхода от температуры при
высокой плотности тока.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share