|
|
1.
|
|
|
|
2.
|
|
|
|
3.
|
|
|
|
4.
|
|
|
|
5.
|
|
|
|
6.
|
|
|
|
7.
|
Радиационная стойкость мощных излучающих диодов А. А. Вилисов, Г. Н. Захарова by Вилисов, Анатолий Александрович | Захарова, Г. Н. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type:  Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
8.
|
|
|
|
9.
|
Метод определения типа проводимости в особо чистом германии Л. Т. Узунян, А. Г. Левашкин by Узунян, Лаврентий Таджатович | Левашкин, Андрей Геньевич. Source: Инноватика-2021 : сборник материалов XVII Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 22-23 апреля 2021 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
 ; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Other title: Method for determining the type of conductivity in high-purity germanium.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
10.
|
|
|
|
11.
|
Simulation of inkjet printing process and printing of organic semiconducting materials R. M. Gadirov, A. V. Odod, T. A. Solodova [et.al.] by Gadirov, Ruslan M | Solodova, Tatyana A | Nikonova, Elena N | Kurtsevich, A. E | Kopylova, Tatyana N | Odod, A. V. Source: The International seminar on interdisciplinary problems in additive technologies, 6-9 December 2016, Tomsk : problems of materials scince in additive technologiesMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
12.
|
|
|
|
13.
|
Исследование спектра поглощения Si:Ge наногетероструктур К. А. Лозовой, А. М. Турапин, А. В. Яцкий, А. П. Коханенко by Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Яцкий, А. В | Коханенко, Андрей Павлович. Source: Молодежная школа-конференция с международным участием "Лазеры и лазерные технологии ", посвященная 50-летию создания первого в мире лазера : труды школы-конференции, 22-27 ноября 2010 года, Россия, ТомскMaterial type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
14.
|
GaAs детекторы ионизирующих излучений О. П. Толбанов by Толбанов, Олег Петрович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
15.
|
|
|
|
16.
|
Матричный GaAs-детектор 128x128 элементов для рентгенографии А. П. Воробьев, С. Н. Головня, С. А. Горохов и др. by Воробьев, А. П | Головня, С. Н | Горохов, С. А | Корецкая, Ольга Борисовна | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
17.
|
Прибор для комплексного метода измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов Н. Ю. Шаронов, А. Г. Левашкин, А. Г. Лапатин, А. И. Башкиров by Левашкин, Андрей Геньевич | Лапатин, Алексей Леонидович | Башкиров, Александр Иванович | Шаронов, Никита Юрьевич. Source: Инноватика - 2019 : сборник материалов XV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 25-27 апреля 2019 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Other title: Instrument for a complex method for measuring the resistivity of semiconductor materials.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
18.
|
Прибор для бесконтактного метода измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов Д. С. Репкин, Н. Ю. Шаронов, А. Г. Левашкин [и др.] by Шаронов, Никита Юрьевич | Левашкин, Андрей Геньевич | Мошкина, Мария Дмитриевна | Башкиров, Александр Иванович | Репкин, Дмитрий Сергеевич. Source: Инноватика - 2018 : сборник материалов XIV Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 26-27 апреля 2018 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Other title: Instrument for a non-contact method for measuring the resistivity of semiconductor materials.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
19.
|
Концентрационный и температурный фазовые переходы в арсениде галлия n-типа В. А. Богданова, Н. А. Давлеткильдеев, В. И. Дубовик [и др.] by Богданова, Вера Александровна | Давлеткильдеев, Надим Анварович | Дубовик, Виктор Иванович | Елизаров, М. С | Семиколенова, Надежда Александровна. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
20.
|
Роль нестехиометрии в установлении содержания остаточного углерода в арсениде галлия В. В. Резвицкий, Г. Н. Семенова, Л. Г. Шепель, А. Хрубан by Резвицкий, В. В | Семенова, Г. Н | Шепель, Л. Г | Хрубан, А. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
21.
|
|
|
|
22.
|
|
|
|
23.
|
Исследование проникновения атомарного водорода в арсенид галлия во время гидрогенизации при низком давлении В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Д. И. Проскуровский, Н. А. Торхов by Божков, Владимир Григорьевич | Кагадей, Валерий Алексеевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Торхов, Николай Анатольевич. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
24.
|
|
|
|
25.
|
|
|
|
26.
|
|
|
|
27.
|
|
|
|
28.
|
Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии В.В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Феклин, Дмитрий Федорович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
29.
|
|
|
|
30.
|
|
|
|
31.
|
|
|
|
32.
|
|
|
|
33.
|
Электронные состояния поверхности полупроводников A3B5 с адсорбированными слоями цезия В. П. Альперович, В. С. Воронин, А. Г. Паулиш [и др.] by Альперович, Виталий Львович | Воронин, В. С | Паулиш, Андрей Георгиевич | Рудая, Нина Сергеевна | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич | Шайблер, Генрих Эрнстович | Энтин, Василий Матвеевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
34.
|
|
|
|
35.
|
|
|
|
36.
|
|
|
|
37.
|
|
|
|
38.
|
|
|
|
39.
|
|
|
|
40.
|
|
|
|
41.
|
|
|
|
42.
|
|
|
|
43.
|
Применение радиационных технологий в производстве диодов Ганна А. В. Градобоев by Градобоев, Александр Васильевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
44.
|
Рекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда Д. В. Гуляев, А. М. Гилинский, А. И. Торопов [и др.] by Гуляев, Дмитрий Владимирович | Гилинский, Александр Михайлович | Торопов, Александр Иванович | Бакаров, Асхат Климович | Журавлев, Константин Сергеевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
45.
|
|
|
|
46.
|
|
|
|
47.
|
|
|
|
48.
|
|
|
|
49.
|
|
|
|
50.
|
|
