Normal view
MARC view
Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре Л. Л. Девятьярова, И. В. Ивонин, А. В. Панин [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | арсенид галлия | эпитаксиальные слои | низкотемпературная кристаллизация | молекулярно-лучевая эпитаксия | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 218-220No physical items for this record
Библиогр.: 4 назв.
There are no comments on this title.