Normal view
MARC view
Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем М. Д. Вилисова, А. К. Гутаковский, Л. Л. Девятьярова [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | низкие температуры | полупроводниковые соединения | арсенид галлия | арсенид галлия-индия | наноструктуры | нанокластеры | молекулярно-лучевая эпитаксия | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 177-179No physical items for this record
Библиогр.: 2 назв.
There are no comments on this title.