Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем М. Д. Вилисова, А. К. Гутаковский, Л. Л. Девятьярова [и др.]

Contributor(s): Вилисова, Мария Дмитриевна | Гутаковский, Антон Константинович | Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей ВладимировичMaterial type: ArticleArticleSubject(s): физика полупроводников | низкие температуры | полупроводниковые соединения | арсенид галлия | арсенид галлия-индия | наноструктуры | нанокластеры | молекулярно-лучевая эпитаксия | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 177-179
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 2 назв.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share