Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Т. М. Табакаева

Contributor(s): Айзенштат, Геннадий Исаакович | Божков, Владимир Григорьевич | Кагадей, Валерий Алексеевич | Табакаева, Татьяна МихайловнаMaterial type: ArticleArticleSubject(s): арсенид галлия | полупроводниковое материалы | Шоттки барьер | вольт-амперная характеристика | атомарный водород In: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 203-205
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 2 назв.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share