Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 35 results.

    1.
    No cover image available
    Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Vasilev, Vladimir V | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Sidorov, Georgiy Yu | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Journal of communications technology and electronicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    2.
    No cover image available
    Admittance of MIS structures based on graded-gap MBE HgCdTe with Al2O3 insulator A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Vasilev, Vladimir V | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Sidorov, Georgiy Yu | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Physica status solidi CMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    3.
    No cover image available
    Admittance of MIS structures based on nBn systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3–5 μm spectral range A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V.

    Source: Technical physics lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    4.
    No cover image available
    Admittance investigation of MIS structures with GgTe-based single quantum wells I. I. Izhnin, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]

    by Izhnin, Igor I | Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Nanoscale research lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    5.
    No cover image available
    Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    6.
    No cover image available
    Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices S. Dzyadukh, S. Nesmelov, A. Voytsekhovskiy, D. Gorn

    by Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    7.
    No cover image available
    Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич.

    Source: Письма в журнал технической физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    8.
    No cover image available
    The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te films A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Marin, Denis V.

    Source: Technical physics lettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    9.
    No cover image available
    Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением В. Г. Средин, А. В. Войцеховский, О. Б. Ананьин и др.

    by Средин, Виктор Геннадиевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    10.
    No cover image available
    Influence of composition of the near-surface graded-gap layer on the admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap MBE n-Hg1–xCdxTe in wide temperature range A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    11.
    No cover image available
    Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 –xCdxTe (x = 0.21–0.23) in a wide temperature range A. V. Voytsekhovskiy, N. A. Kulchitsky, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Kulchitskii, N. A | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Journal of communications technology and electronicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    12.
    No cover image available
    Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator S. M. Dzyadukh, A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Sidorov, Georgiy Yu | Varavin, Vasilii S | Vasilev, Vladimir V | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Dzyadukh, Stanislav M.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    13.
    No cover image available
    Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Марин, Денис Викторович.

    Source: Письма в журнал технической физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    14.
    No cover image available
    Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    15.
    No cover image available
    Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Кульчицкий, Николай Александрович.

    Source: Успехи прикладной физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Admittance of MIS structures based on MBE Hg1-xCdxTe ( x = 0.22-0.23) in a wide temperature range.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    16.
    No cover image available
    Peculiarities of modeling the frequency dependences of admittance of MIS structure based on organic P3HT film with an insulator Al2O3 layer A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    17.
    No cover image available
    Electrophysical characteristics of the pentacene-based MIS structures with a SiO2 insulator V. A. Novikov, A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Kopylova, Tatyana N | Degtyarenko, Konstantin M | Chernikov, Evgeniy V | Kalygina, Vera M | Novikov, Vadim A.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    18.
    No cover image available
    Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M.

    Source: Journal of physics and chemistry of solidsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    19.
    No cover image available
    Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Grigoryev, Denis V | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    20.
    No cover image available
    Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2 В. А. Новиков, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович | Черников, Евгений Викторович | Калыгина, Вера Михайловна | Новиков, Вадим Александрович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    21.
    No cover image available
    Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др.

    by Дзядух, Станислав Михайлович | Несмелов, Сергей Николаевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    22.
    No cover image available
    Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Кульчицкий, Николай Александрович.

    Source: Нано- и микросистемная техникаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Impact of the near-surface graded-gap layers on the admittance of mis structures based on mbe n(p)-Hg1 – xCdxTe (x = 0,21...0,23) within the temperature range of 9...77 K.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    23.
    No cover image available
    Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    24.
    No cover image available
    Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Semiconductor science and technologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    25.
    No cover image available
    Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Горн, Дмитрий Игоревич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    26.
    No cover image available
    Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    27.
    No cover image available
    Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. V. Voytsekhovskiy [et al.]

    by Syvorotka, I. I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Izhnin, Igor I.

    Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    28.
    No cover image available
    Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal–insulator–semiconductor techniques A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Sidorov, Georgiy Yu | Yakushev, Maxim V | Marin, Denis V.

    Source: Journal of electronic materialsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    29.
    No cover image available
    Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Investigation of characteristics of MIS structures based on MBE n-HgCdTe NBvN barrier structures by admittance spectroscopy.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    30.
    No cover image available
    Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    31.
    No cover image available
    Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Features of the admittance of MIS structures based on MBE p-Hg1-xCdxTe (x = 0.30).Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    32.
    No cover image available
    Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing A. G. Korotaev, A. V. Voytsekhovskiy, I. I. Izhnin [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Izhnin, Igor I | Mynbaev, Karim D | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Korotaev, Alexander G | Sidorov, Georgiy Yu.

    Source: Surface and coatings technologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    33.
    No cover image available
    Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3 A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Kopylova, Tatyana N | Degtyarenko, Konstantin M.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    34.
    No cover image available
    Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Григорьев, Денис Валерьевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    35.
    No cover image available
    Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart