Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 405 results.

    351.
    Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев, А. В. Тяжев

    by Гермогенов, Валерий Петрович | Пономарев, Иван Викторович | Тяжев, Антон Владимирович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    352.
    Самоформирующиеся трехмерные наноструктуры на основе свободных напряженных гетеропленок В. Я. Принц

    by Принц, Виктор Яковлевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    353.
    Enginering As nano-clusters in GaAs V. V. Chaldyshev

    by Chaldyshev, Vladimir V.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    354.
    Электростатические поля, связанные с оптическими колебаниями в сверхрешетке (GaAs)n(AlAs)m[001] В. Г. Тютерев

    by Тютерев, Валерий Григорьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    355.
    Численный анализ резонансного значения продольного тока в сверхрешетке типа GaAs/AlxGa1-xAs со слабо взаимодействующими квантовыми ямами С. И. Борисенко

    by Борисенко, Сергей Иванович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    356.
    Светодиод из GaAs(Si) как квазисверхструктура туннельно связанных квантовых точек В. Г. Сидоров, Д. В. Сидоров, В. И. Соколов

    by Сидоров, Валерий Георгиевич | Сидоров, Д. В | Соколов, В. И.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    357.
    Электрофизические свойства квазиоднородных контактов Au-TiBx-GaAs Д. И. Войциховский, Р. В. Конакова, В. В. Миленин [и др.]

    by Войциховский. Д. И | Конакова, Р. В | Миленин, В. В | Соловьев, Е. А | Чайка, Г. Е | Ренгевич, А. Е | Болтовец, Н. С | Иванов, В. Н.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    358.
    Фазовая диаграмма поверхности GaAs(311)A при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs М. А. Путято, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин

    by Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    359.
    Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева [и др.]

    by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    360.
    Исследование влияния режимов выращивания и легирования активной области Ик-диодов на основе GaAs(Si) на эффективность излучения С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко

    by Гущин, Сергей Михайлович | Пороховниченко, Лидия Петровна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    361.
    Влияние проводимости базы на ВАХ диодных структур, сформированных диффузией Fe или Cr B GaAs Д. Л. Будницкий, А. В. Тяжев, С. С. Хлудков

    by Будницкий, Давыд Львович | Тяжев, Антон Владимирович | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    362.
    Полупроводниковые сигнальные лампы на соединениях A3B5 В. С. Лукаш, В. И. Юрченко. А. П. Абрамовский

    by Лукаш, Виталий Сергеевич | Юрченко, Василий Иванович | Абрамовский, А. П.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    363.
    Координатные детекторы рентгеновского излучения на арсениде галлия Г. И. Айзенштат, А. П. Воробьев, В. Г. Канаев [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Воробьев, Александр Павлович | Канаев, В. Г | Толбанов, Олег Петрович | Хан, А. В.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    364.
    Детекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs Г. И. Айзенштат, С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гущин, Сергей Михайлович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Хан, А. В.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    365.
    Арсенид-галлиевые микроструктуры с высоким аспектным отношением, применение в ядерной технике (технология и применение) В. Г. Канаев, С. В. Литвин, Н. А. Тимченко [и др.]

    by Канаев, В. Г | Литвин, С. В | Тимченко, Николай Алексеевич | Юрченко, Василий Иванович | Забаев, В. М | Углов, С. Р.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    366.
    Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Т. М. Табакаева

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Божков, Владимир Григорьевич | Кагадей, Валерий Алексеевич | Табакаева, Татьяна Михайловна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    367.
    Мощные диоды Ганна 8-мм диапазона: GaAs, InP В. С. Лукаш, В. И. Юрченко, О. М. Узденов

    by Лукаш, Виталий Сергеевич | Юрченко, Василий Иванович | Узденов, Олег Мухитдинович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    368.
    GaAs маска для нанолитографии В. Я. Принц, В. А. Селезнев, А. В. Принц

    by Принц, Виктор Яковлевич | Селезнев, Владимир Александрович | Принц, Александр Викторович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    369.
    Первопринципный расчет междолинных деформационных потенциалов рассеяния на коротковолновых фононах в GaAs Л. Н. Бычкова, С. Н. Гриняев, В. Г. Тютерев

    by Никитина, Лариса Николаевна | Гриняев, Сергей Николаевич | Тютерев, Валерий Григорьевич.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    370.
    Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе М. В. Ардышев, И. А. Прудаев

    by Ардышев, Михаил Вячеславович | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    371.
    Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    372.
    Характеризация радиационных эффектов в арсениде галлия В. Н. Брудный

    by Брудный, Валентин Натанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    373.
    Conductivity in the heavy proton-irradiated GaAs V. N. Brudnyi, A. I. Potapov

    by Brudnyi, Valentin N | Potapov, Alexander I.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    374.
    Микростриповые детекторы на GaAs с контактами на основе модифицированных ионами слоев полупроводника Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Лелеков, Михаил Александрович.

    Source: Фундаментальные проблемы новых технологий в 3-м тысячелетии : в рамках Российского научного форума с международным участием Демидовские чтения : Третья всероссийская конференция молодых ученых, 3-6 марта 2006, Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    375.
    Performance of a Medipix3RX spectroscopic pixel detector with a high resistivity gallium arsenide sensor E. Hamann, T. Koenig, M. Zuber [et.al.]

    by Hamann, E | Zuber, M | Cecilia, A | Tyazhev, Anton V | Tolbanov, Oleg P | Procz, S | Fauler, A | Baumbach, T | Fiederle, M | Koenig, T | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: IEEE transactions on medical imagingMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    376.
    Electron mobility-lifetime and resistivity mapping of GaAs:Cr wafers I. Chsherbakov, I. Kolesnikova, A. Lozinskaya [et.al.]

    by Chsherbakov, Ivan | Lozinskaya, Anastassiya D | Mihaylov, Timofei | Novikov, Vladimir A | Shemeryankina, A | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Zarubin, Andrei N | Kolesnikova, Irina I.

    Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    377.
    Background donor concentration in HgCdTe I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voytsekhovskiy [et.al.]

    by Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Fitsych, Olena I | Pociask-Bialy, Malgorzata | Dvoretsky, Sergei A | Mynbaev, Karim D | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    378.
    Использование эмпирического метода сильной связи для описания сложных дефектных образований в GaAs А. В. Помогаев

    by Помогаев, А. В.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    379.
    Исследование сплавных электронно-дырочных переходов в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук А. П. Васильев ; науч. рук. А. П. Вяткин ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Васильев, Анатолий Павлович | Вяткин, Анатолий Петрович [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1966Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    380.
    О практическом применении арсенида галлия, легированного переходными металлами С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    381.
    Диффузия примесей в арсениде галлия, диффузные структуры и приборы С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    382.
    Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов

    by Вяткин, Анатолий Петрович | Максимова, Надежда Кузьминична | Филонов, Николай Григорьевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    383.
    Расчет характеристик амплитудного модулятора инфракрасного излучения на высокоомном арсениде галлия А. В. Войцеховский, М. А. Гласнов, А. С. Петров

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Петров, Алексей Сергеевич, 1938-1996 | Гласнов, М. А.

    Source: Материалы XVIII научно-технической конференции по радиоэлектронике, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина / Томский университетMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    384.
    Механизм срыва обратной вольт-амперной характеристики р-???-п-структур на основе GaAs(Fe) В. И. Гаман, В. М. Диамант, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Диамант, В. М | Фукс, Г. М.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print Availability: No items available :
    385.
    Фотоэлектрические характеристики p-???-n-структур на основе GaAs(Fe) А. А. Вилисов, В. И. Гаман, В. М. Диамант, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Вилисов, Анатолий Александрович | Диамант, В. М | Фукс, Г. М.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print Availability: No items available :
    386.
    Неразрушающий метод контроля полуизолирующего арсенида галлия для детекторов ионизирующего излучения А. Н. Ерохин, Г. И. Айзенштат

    by Ерохин, А. Н | Айзенштат, Геннадий Исаакович.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    387.
    Исследование детекторов ионизирующих излучений, изготовленных на основе эпитаксиального арсенида галлия Г. И. Айзенштат, М. Д. Вилисова, Е. П. Другова [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Другова, Е. П | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Пороховниченко, Лидия Петровна | Чубирко, Валентина Анатольевна.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    388.
    Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2 М. Г. Верхолетов, И. А. Прудаев

    by Верхолетов, Максим Георгиевич | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: The influence of barrier contacts on carrier transport in homogeneous gaas structures doped with deep Cr and EL2 centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    389.
    Formation of dislocations in the process of impurity diffusion in GaAs S. S. Khludkov, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, I. V. Ivonin

    by Khludkov, Stanislav S | Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Ivonin, Ivan V.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    390.
    Dislocation filter based on LT-GaAs layers for monolithic GaAs/Si integration M. O. Petrushkov, D. S. Abramkin, E. A. Emelyanov [et al.]

    by Petrushkov, Mikhail O | Abramkin, Demid S | Emelyanov, Eugeny A | Putyato, Mikhail A | Komkov, Oleg S | Firsov, Dmitrii D | Vasev, Andrey V | Yesin, Michail Yu | Bakarov, Askhat K | Loshkarev, Ivan D | Gutakovskii, Anton K | Atuchin, Victor V | Preobrazhenskii, Valery V.

    Source: NanomaterialsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    391.
    Влияние собственного поля электронов и Г-Х междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах А. А. Воронков

    by Воронков, А. А.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    392.
    Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs В. А. Рогозин, В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин [и др.]

    by Рогозин, В. А | Кульбачинский, Владимир Анатольевич | Лунин, Роман Анатольевич | Мокеров, Владимир Григорьевич, 1940-2008 | Федоров, Ю. В | Хабаров, Ю. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    393.
    Электронные состояния поверхности полупроводников A3B5 с адсорбированными слоями цезия В. П. Альперович, В. С. Воронин, А. Г. Паулиш [и др.]

    by Альперович, Виталий Львович | Воронин, В. С | Паулиш, Андрей Георгиевич | Рудая, Нина Сергеевна | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич | Шайблер, Генрих Эрнстович | Энтин, Василий Матвеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    394.
    Колебательные спектры и плотность фононных состояний монослойной сверхрешетки (GaSb)1(AlSb)1 Е. Н. Прыкина, Ю. И. Полыгалов, А. В. Копытов

    by Прыкина, Елена Николаевна | Полыгалов, Юрий Иванович | Копытов, Анатолий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    395.
    Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs Д. В. Дмитриев, Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров [и др.]

    by Дмитриев, Дмитрий Владимирович физик | Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    396.
    Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева [и др.]

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    397.
    Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом атомно-силового микроскопа Д. В. Щеглов, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, А. Л. Асеев

    by Щеглов, Дмитрий Владимирович | Родякина, Екатерина Евгеньевна | Латышев, Александр Васильевич | Асеев, Александр Леонидович, 1946-.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    398.
    Химически приготовленная атомно-гладкая поверхность GaAs (100): морфология, реконструкции и электронные свойства О. Е. Терещенко, В. Л. Альперович, Н. С. Рудая [и др.]

    by Терещенко, Олег Евгеньевич | Альперович, Виталий Львович | Рудая, Нина Сергеевна | Латышев, Александр Васильевич | Терехов, Александр Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    399.
    Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, А. В. Червяков

    by Авакянц, Лев Павлович | Боков, Павел Юрьевич | Казаков, Игорь Петрович | Червяков, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    400.
    Образование радиационных дефектов в арсениде галлия В. В. Пешев

    by Пешев, Владимир Викторович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :