Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2 М. Г. Верхолетов, И. А. Прудаев
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: The influence of barrier contacts on carrier transport in homogeneous gaas structures doped with deep Cr and EL2 centers [Parallel title]Subject(s): детекторы ионизирующего излучения | переключатели фотоэлектрические | арсенид галлия | донорные центры глубокие | транспорт носителей зарядаGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Физика и техника полупроводников Т. 55, № 8. С. 693-698Abstract: Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорные EL2 центры и акцепторные уровни Cr. Исследованы структуры в трех конфигурациях: p-i-n-, n-i-n- и p-i-p-типов. Решалась система дифференциальных уравнений для температуры носителей заряда, уравнений Пуассона и непрерывности с использованием коммерческого пакета проектирования. Установлено, что выбор типа барьерного слоя позволяет контролировать однородность напряженности электрического поля в структурах. Показано, что наилучшей однородностью напряженности поля обладают структуры p-i-p-типа.
Библиогр.: 21 назв.
Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорные EL2 центры и акцепторные уровни Cr. Исследованы структуры в трех конфигурациях: p-i-n-, n-i-n- и p-i-p-типов. Решалась система дифференциальных уравнений для температуры носителей заряда, уравнений Пуассона и непрерывности с использованием коммерческого пакета проектирования. Установлено, что выбор типа барьерного слоя позволяет контролировать однородность напряженности электрического поля в структурах. Показано, что наилучшей однородностью напряженности поля обладают структуры p-i-p-типа.
There are no comments on this title.